浸没式ArF光刻最新进展

简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。

清华成功研发光刻机双工件台系统样机

清华大学国家科技重大专项＂光刻机双工件台系统样机研发＂通过验收,使我国成为少数能研制光刻机双工件台这一超精密机械与测控技术领域尖端系统的国家之一。项目由清华大学机械工程系朱煜教授担任负责人,以研制光刻机双工件台系统样机为目标,力争为研发65~28nm双工件台干式及浸没式光刻机提供具有自主知识产权的产品级技术。

45nm工艺与先进的光刻设备

2006年是65nm芯片量产年和45nm芯片首推年。193nmArF浸没式光刻机将在量产65、45、32nm芯片中大显身手、大展鸿图。