As离子注入碲镉汞的p^+n结红外探测器

讨论了制作pn结的另一种途径 ,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型 p+层来获得 p+n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论 ,阐述了两种制作 pn结工艺的特点。实验表明 ,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活 ,而不会改变HgCdTe组份。已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的 p+n结光伏红外探测器。