自旋极化度对GaAs量子阱中吸收饱和效应与载流子复合动力学的影响研究

本文研究了(001)Ga As量子阱薄膜中重空穴激子近共振抽运-探测的载流子自旋弛豫动力学,发现载流子的自旋极化对传统的线偏振光吸收饱和效应和载流子复合动力学都有影响.进一步的抽运流依赖的自旋弛豫和复合动力学研究表明,自旋极化对线偏振光的吸收饱和效应的影响随抽运流降低而变弱.在低激发流时,自旋极化对线偏振吸收饱和效应的影响才可忽略.然而,又显现出自旋极化对复合动力学的影响.分析表明复合动力学的自旋极化依赖性起源于重空穴激子形成浓度的自旋极化依赖性.复合动力学的自旋极化依赖性表明自旋弛豫时间计算中所涉及的复合时间应该使用自旋极化载流子的复合时间.基于二维质量作用定律的激子浓度计算表明,库仑屏蔽效应对激子形成的影响在较低激发载流子浓度下可以忽略.

两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.