非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象·

非晶态As_2S_8半导体薄膜的光激励现象的研究及应用

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用光折变效应试制了As2S8条波导,观测到As2S8条波导的光阻断效应,实现了光_光效应的开关功能。

非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.

As_2S_8非晶态薄膜波导光学截止效应研究

报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping）效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道,我们提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子泵浦模型,解释了实验现象.

β-FeSi_2半导体薄膜与Si基体取向关系的研究

利用近似重位点原理研究了离子注入法制备的 β FeSi2 半导体薄膜和Si基体之间的取向关系(OR)。透射电子显微镜分析结果表明膜基之间最常见的取向关系为 (2 0 0 )β (2 0 0 ) Si,[0 1 0 ]β [0 1 1 ] Si,但是该平行关系并不精确满足。对 β FeSi2 Si的最佳取向的理论计算结果表明 β FeSi2 和Si要在上述取向关系基础上经过三维小角度旋转调整后才能达到最佳取向 ,此时 β FeSi2 和Si中不存在严格平行的晶面 ,因而在Si基体上生长高质量的 β FeSi2 单晶薄膜存在本质困难 ;计算结果还表明掺杂C离子后β FeSi2 晶格常数的微量调整对最佳取向关系影响不大 ;当 β FeSi2 和Si处于最佳取向时 ,它们之间可能的最佳界面是 (0 0 1 )β (0 2 2 ) Si或 (1 1 0 )β (1 1 1 ) Si。

SnP_(2)S_(6)半导体层数依赖的压电效应

二维压电材料在能源、电子和光电子学方面的应用引起了越来越多的关注.从实验合成的压电晶体SnP_(2)S_(6)出发,我们系统研究了单层、双层、三层和块体SnP_(2)S_(6)的压电效应.第一性原理计算表明:层状SnP_(2)S_(6)具有良好的热力学和动力稳定性,其带隙和载流子有效质量与层数无关,而压电性质具有明显的层数依赖性;单层SnP_(2)S_(6)的压电系数(d11)高达14.18 pm/V,远大于MoS2、h-BN和InSe的压电系数,双层SnP_(2)S_(6)的面外压电系数(d33)大于12 pm/V.优异的压电性能使SnP_(2)S_(6)在二维压电传感器和纳米发电机等器件中的应用成为可能.

TT63ES半导体H2S毒气探测器

挪威Simtronics公司生产的高性能H2S毒气探测器由薄膜半导体类型的传感器构成．具有响应速度快、精度高、可靠性高、易维护、成本低和受其它气体的干扰小等优点。

工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性

以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。

非晶As_2S_3半导体薄膜在激光作用下的性能及结构研究

在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大 ,并最后达到饱和。这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的。从扫描电镜的形貌图中也可以看出 ,经激光辐照后 ,薄膜表面有晶相出现 ,且随着激光功率的增加 ,晶相出现增多。As2 S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致 ,对其产生原因 。

硫族化合物非晶态薄膜波导optical-stopping效应研究

本文通过实验对As2S8这种硫系非晶态材料的光学截止(optical-stopping)现象进行研究,报告了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程。并且结合了其它一些有关硫系非晶态半导体中的光诱起现象的报道,提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子抽运模型,对实验现象进行了解释。

摩托罗拉汽车电子半导体让汽车更智能化

作为全球最大的汽车电子半导体器件供应商,摩托罗拉半导体部一直致力于汽车电子半导体器件的开发与推广。其丰富的半导体器件可用于所有的汽车电子系统控制单元(ECU)中。据美国Strategy Analytics 2002年5月分析,摩托罗拉汽车电子半导体的市场占有率为12.9%,以领先于第二名(7.9%)5个百分点的绝对优势继续在业界处于领跑地位。

抗癌药物马蔺子素伏安行为及极谱催化波研究

采用线性扫描示波极谱法、循环伏安法、紫外光谱法及恒电位电解法等方法分别在水和 N,N-二甲基甲酰胺 ( DMF)两种介质中研究了抗癌药物马蔺子素的伏安行为及其极谱平行催化波产生机理 .结果表明 ,在 Na2 B4 O7-KH2 PO4 ( p H=7.7)缓冲溶液中 ,马蔺子素的醌基首先发生 1 e- 和 1 H+ 还原 ,产生中间体半醌自由基 ,该自由基再以同样方式进一步还原生成相应氢醌 ,并伴随有化学反应 ;在 DMF-四乙基溴化铵( TEAB)质子惰性介质中 ,马蔺子素连续两步单电子还原生成相应氢醌阴离子 ,无中间体半醌自由基的化学反应发生 .上述过程产生马蔺子素可逆还原波 .当氧化剂 K2 S2 O8存在时 ,马蔺子素醌基还原中间体半醌自由基被氧化 ,使原醌基再生 ,产生了马蔺子素的极谱平行催化波 .测得 S2 O2 - 8氧化马蔺子素半醌自由基的表观一级速率常数 kf=3 .3× 1 0 6 L· mol- 1 · s- 1 .

Au-Au_2S复合纳米球壳微粒的空腔谐振及参量讨论

Au Au2 S复合纳米球壳微粒 (金纳米球壳 ) ,是一种新型复合结构的纳米微粒 ,其结构为纳米级的Au2 S介质球外包裹了一层几个纳米厚的黄金球壳。这种复合纳米球壳微粒可以被抽象为球型谐振腔。报道了它的空腔谐振吸收的实验结果 ,并且运用经典理论结合介观结构特性 ,讨论了有关Au Au2 S复合纳米球壳微粒空腔谐振吸收的一些重要参量 ,其中包括谐振吸收波长、品质因数、谐振能量等。另外 ,还讨论了金球壳的厚度对这些重要参量的影响。