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Highly sensitive and stable SERS probes of alternately deposited Ag and Au layers on 3D SiO2 nanogrids for detection of trace mercury ions 被引量:1
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作者 Yi Tian Han-Fu Wang +6 位作者 Lan-Qin Yan Xian-Feng Zhang Attia Falak Pei-Pei Chen Feng-Liang Dong Lian-Feng Sun Wei-Guo Chu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第7期497-506,共10页
The hazard of Hg ion pollution triggers the motivation to explore a fast, sensitive, and reliable detection method. Here, we design and fabricate novel 36-nm-thick Ag-Au composite layers alternately deposited on three... The hazard of Hg ion pollution triggers the motivation to explore a fast, sensitive, and reliable detection method. Here, we design and fabricate novel 36-nm-thick Ag-Au composite layers alternately deposited on three-dimensional (3D) periodic SiO2 nanogrids as surface-enhanced Raman scattering (SERS) probes. The SERS effects of the probes depend mainly on the positions and intensities of their localized surface plasmon resonance (LSPR) peaks, which is confirmed by the absorption spectra from finite-difference time-domain (FDTD) calculations. By optimizing the structure and material to maximize the intrinsic electric field enhancement based on the design method of 3D periodic SERS probes proposed, high performance of the Ag-Au/SiO2 nanogrid probes is achieved with the stability further enhanced by annealing. The optimized probes show the outstanding stability with only 4.0% SERS intensity change during 10-day storage, the excellent detection uniformity of 5.78% (RSD), the detection limit of 5.0 × 10-12 M (1 ppt), and superior selectivity for Hg ions. The present study renders it possible to realize the rapid and reliable detection of trace heavy metal ions by developing high- performance 3D periodic structure SERS probes by designing novel 3D structure and optimizing plasmonic material. 展开更多
关键词 surface-enhanced Raman scattering Ag-au composite layer nanostructure design trace Hg ions detection
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Effect of annealing on composition,structure and electrical properties of Au layers grown on different thickness Cr layers
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作者 Yan Huang Hong Qiu +3 位作者 Liqing Pan Yue Tian Fengping Wang Ping Wu Department of Physics, Applied Science School, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2004年第3期235-239,共5页
110 nm-thick Au layers were sputter-deposited on unheated glasses coatedabout a 10 nm-thick and a 50 nm-thick Cr layer respectively. The Au/Cr bilayer films were annealedin a vacuum of 1 mPa at 300℃ for 2, 5 and 30 m... 110 nm-thick Au layers were sputter-deposited on unheated glasses coatedabout a 10 nm-thick and a 50 nm-thick Cr layer respectively. The Au/Cr bilayer films were annealedin a vacuum of 1 mPa at 300℃ for 2, 5 and 30 min, respectively. Auger electron spectroscopy, X-raydiffraction and Field emission scanning electron microscopy were used to analyze the composition andstructure of the Au layers. The resistivity of the bilayer films was measured by using four-pointprobe technique. The adhesion of the bilayer films to the substrate was tested using tape tests. Theamount of Cr atoms diffusing into the Au layer increases with increasing the annealing time,resulting in a decrease in lattice constant and an increase in resistivity of the Au layer. Thecontent of Cr inside the Au layer grown on the thinner Cr layer is less than that grown on thethicker Cr layer. For the Au/Cr bilayer films, the lower resistivity and the good adhesion to theglass substrate can be obtained at a shorter annealing time for a thinner Cr layer. 展开更多
关键词 au/Cr bilayer film Cr layer thickness ANNEALING CHARACTERISTIC
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具有Au/MoO_3空穴注入层的有机发光二极管 被引量:10
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作者 涂爱国 周翔 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期157-161,共5页
研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介... 研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率。 展开更多
关键词 有机发光二极管 空穴注入层 au/MoO3
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Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响 被引量:2
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作者 周勋 罗木昌 +1 位作者 赵文伯 黄烈云 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期850-854,共5页
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与... 对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。 展开更多
关键词 P型GAN 欧姆接触 Ni/au电极 Ni层厚度
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高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触 被引量:1
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作者 周勋 罗木昌 +1 位作者 赵文伯 黄烈云 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期230-234,共5页
采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同... 采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。 展开更多
关键词 高Al组分n-AlGaN Ti/Al/Ti/au 接触层厚度 两步退火 欧姆接触
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多层Au-Pd核壳纳米颗粒膜增敏的光纤氢气传感器 被引量:4
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作者 穆青青 刘晓波 刘伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1681-1687,共7页
高灵敏度、快速响应的光纤氢气传感技术是未来氢气传感技术的发展方向,对保障氢能系统安全具有重要意义。针对纳米尺度的钯基氢敏材料难以与光器件耦合的问题,本文采用水相合成及离心沉积方法制备具有快速氢气响应特性的Au-Pd核壳纳米... 高灵敏度、快速响应的光纤氢气传感技术是未来氢气传感技术的发展方向,对保障氢能系统安全具有重要意义。针对纳米尺度的钯基氢敏材料难以与光器件耦合的问题,本文采用水相合成及离心沉积方法制备具有快速氢气响应特性的Au-Pd核壳纳米颗粒膜,搭建了含有Au-Pd核壳纳米颗粒氢敏膜阵列的透射式传感系统,实现了光信号与多层纳米颗粒膜阵列的耦合,通过提高敏感材料对光信号的调制能力增强了传感器的灵敏度。实验研究表明,本文制备的Au-Pd核壳纳米颗粒膜粒径为48 nm,Pd层厚度约为4 nm。该敏感薄膜对4%浓度氢气的响应时间小于3 s,且在循环测试中显示了良好的重复性和稳定性。通过3片薄膜阵列传感,在不影响传感器响应速度的同时将传感器灵敏度提升至最高,为单片膜的2.7倍。该研究为开发高性能光纤氢气传感器提供了重要指导。 展开更多
关键词 氢气传感 光纤氢气传感器 au-Pd纳米颗粒 多层膜增敏
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直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变 被引量:1
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作者 时方晓 《沈阳建筑大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第6期1014-1019,共6页
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用... 目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段. 展开更多
关键词 直流电场 相变 Ag薄膜 au/Si(111)吸附表面 电迁移 结构敏感性
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水溶性Fe_3O_4/Au纳米复合粒子制备及性能研究
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作者 吴丽娜 刘立洵 +4 位作者 范丽馨 王志江 王可铮 孙夕林 申宝忠 《节能技术》 CAS 2014年第4期305-307,317,共4页
本文针对可用作MRI/CT双模式成像分子探针的Fe3O4/Au纳米粒子制备方法存在工艺繁琐,工业扩大化后能耗大等缺点,发展了一种绿色、简便的可控自组装工艺,分析了纳米复合材料的微观结构特征,研究了材料的等离子体共振特性和磁学特征。结果... 本文针对可用作MRI/CT双模式成像分子探针的Fe3O4/Au纳米粒子制备方法存在工艺繁琐,工业扩大化后能耗大等缺点,发展了一种绿色、简便的可控自组装工艺,分析了纳米复合材料的微观结构特征,研究了材料的等离子体共振特性和磁学特征。结果表明:(1)发展的层层自组装方法可以使磁性纳米粒子Fe3O4与具有高X射线吸收的Au粒子组装在一起,两者结合牢固,长时间超声振荡后仍然没有脱落;(2)中心核为Fe3O4纳米团簇的结构特征使复合粒子具有高饱和磁化强度,克服了以往报道的Fe3O4/Au复合纳米粒子磁化强度低的缺点;(3)金粒子均匀分布在Fe3O4纳米团簇表面,因为粒子间距缩短增强了粒子间的耦合作用,使得等离子体共振谱发生了宽化和红移。 展开更多
关键词 FE3O4 au纳米复合粒子 层层自组装 化学键合 超顺磁 等离子体共振
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带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用
9
作者 郭伟玲 李志国 +1 位作者 程尧海 孙英华 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期37-40,共4页
将带有TiN、W和Mo阻挡层的Au金属化系统用在高频大功率三极管上,对其EB结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用TiN作阻挡层的管子的寿命比用W作阻挡层的管子提高了两倍多:用TiN作阻挡层的管子和用W作... 将带有TiN、W和Mo阻挡层的Au金属化系统用在高频大功率三极管上,对其EB结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用TiN作阻挡层的管子的寿命比用W作阻挡层的管子提高了两倍多:用TiN作阻挡层的管子和用W作阻挡层的管子具有较好的耐高温特性,与Mo作阻挡层的管子相比它们承受的温度更高。 展开更多
关键词 金属化 氮化钛 硅微波器件 微波半导体器件
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Ni/Au层对碳纳米管薄膜强流脉冲发射稳定性的影响(英文)
10
作者 麻华丽 杨晓辉 +3 位作者 曾凡光 夏连胜 谌怡 张篁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期28-33,共6页
采用酞菁铁高温裂解法在镀有镍金缓冲层的硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni/Au-CNT),并采用二极结构在相同的主Marx电压下研究了其强流脉冲发射稳定性.结果表明:在脉冲电压峰值为1.60~1.74 MV(对应的脉冲电场峰值为11.43~12.43V/μm)时,Ni... 采用酞菁铁高温裂解法在镀有镍金缓冲层的硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni/Au-CNT),并采用二极结构在相同的主Marx电压下研究了其强流脉冲发射稳定性.结果表明:在脉冲电压峰值为1.60~1.74 MV(对应的脉冲电场峰值为11.43~12.43V/μm)时,Ni/Au-CNT薄膜首次发射的电流峰值可达331.2A;Ni/Au层不仅能提高CNT薄膜的强流脉冲发射电流峰值,还能提高其发射稳定性;当冷阴极重复脉冲发射7次时,Ni/Au-CNT的脉冲电流峰值衰减到初值的72%,而Ni–CNT和Si-CNT脉冲电流峰值分别衰减到初值的62%和32%. 展开更多
关键词 强流脉冲发射 Ni/au 碳纳米管薄膜 稳定性 归一化电流
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Au@TiO_2核壳纳米粒子光催化过程的表面增强拉曼光谱研究 被引量:3
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作者 刘伟 郭清华 +2 位作者 秦维 姚建林 顾仁敖 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1865-1869,共5页
利用聚电解质的静电吸附作用(层层组装),在Au纳米粒子表面包裹上不同层数的二氧化钛前驱体二(2-羟基丙酸)二氢氧化铵合钛(TALH),通过退火形成Au@TiO2复合纳米粒子.以苯硫酚(TP)作为探针分子对退火前复合纳米粒子不同壳层厚度的SERS效应... 利用聚电解质的静电吸附作用(层层组装),在Au纳米粒子表面包裹上不同层数的二氧化钛前驱体二(2-羟基丙酸)二氢氧化铵合钛(TALH),通过退火形成Au@TiO2复合纳米粒子.以苯硫酚(TP)作为探针分子对退火前复合纳米粒子不同壳层厚度的SERS效应进行表征.研究发现,SERS信号强度的变化与壳层厚度密切相关,当Au表面包裹至3层TALH时,信号几乎完全消失.结合紫外照射,利用SERS对亚甲基蓝(MB)在TiO2壳层表面的光催化降解过程进行了研究.结果表明,MB的降解主要经历了从多体及二聚体吸附逐渐向单体吸附方式的转变,然后又经历了一个脱甲基过程. 展开更多
关键词 au@TiO2核壳纳米粒子 表面增强拉曼光谱 层层组装技术 光催化 机理
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肌红蛋白在{PAMAM-Au/Mb}_n层层组装薄膜电极上的直接电化学
12
作者 张宏 胡乃非 《阜阳师范学院学报(自然科学版)》 2007年第4期1-4,共4页
以聚酰胺-胺(PAMAM)大分子为模板用硼氢化钠还原氯金酸制得PAMAM-Au纳米复合物,并与肌红蛋白(myoglobin,Mb)构筑了{PAMAM-Au/Mb}n层层组装薄膜电极.肌红蛋白在此层层组装薄膜电极上实现了直接电化学,并对过氧化氢的电化学还原有着较好... 以聚酰胺-胺(PAMAM)大分子为模板用硼氢化钠还原氯金酸制得PAMAM-Au纳米复合物,并与肌红蛋白(myoglobin,Mb)构筑了{PAMAM-Au/Mb}n层层组装薄膜电极.肌红蛋白在此层层组装薄膜电极上实现了直接电化学,并对过氧化氢的电化学还原有着较好的催化作用. 展开更多
关键词 肌红蛋白 PAMAM—au纳米复合物 层层组装薄膜电极 直接电化学
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氧化层对硅片上生长Au膜微结构的影响
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作者 俞波 石旺舟 《汕头大学学报(自然科学版)》 2002年第1期54-57,共4页
采用 X-射线衍射与扫描电镜观察相结合研究了中间氧化层对硅片上沉积 Au- As合金薄膜的微结构的影响 .结果表明 :氧化层一方面影响 Au- As合金膜的成核生长 ,使其晶粒细化和生长速率下降 ;另一方面 ,氧化层降低了 Au- Si界面扩散反应的... 采用 X-射线衍射与扫描电镜观察相结合研究了中间氧化层对硅片上沉积 Au- As合金薄膜的微结构的影响 .结果表明 :氧化层一方面影响 Au- As合金膜的成核生长 ,使其晶粒细化和生长速率下降 ;另一方面 ,氧化层降低了 Au- Si界面扩散反应的程度 ,阻止新的 Si-Au合金相的生成 . 展开更多
关键词 氧化层 au-As合金薄膜 界面结构 硅片 金-砷合金薄膜 微结构 成核生长
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以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量:2
14
作者 崔军朋 段垚 +1 位作者 王晓峰 曾一平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期861-864,共4页
采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射... 采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射(XRD)研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量,有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶,但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征,金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的光学性质,并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 au缓冲层 化学气相沉积
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Au/TiO_2/MoS_2等离子体复合光催化剂的制备及其增强光催化产氢活性 被引量:14
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作者 杜新华 李阳 +1 位作者 殷辉 向全军 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第4期414-423,共10页
采用尿素沉积法制备了Au/Ti O_2/Mo S_2等离子体复合光催化剂。通过光催化产氢实验,在10%(φ,体积分数)甘油水溶液为牺牲剂条件下,研究了不同Mo S_2含量、Au固载2%(w,质量分数)时,Au/Ti O_2/Mo S_2(ATM)复合样品的光催化产氢活性。结果... 采用尿素沉积法制备了Au/Ti O_2/Mo S_2等离子体复合光催化剂。通过光催化产氢实验,在10%(φ,体积分数)甘油水溶液为牺牲剂条件下,研究了不同Mo S_2含量、Au固载2%(w,质量分数)时,Au/Ti O_2/Mo S_2(ATM)复合样品的光催化产氢活性。结果表明,当Mo S_2含量为0.1%(w)时,复合样品ATM0.1显示出最高的光催化产氢活性,其产氢速率达到708.85μmol·h^(-1),是Ti O_2/Mo S_2(TM)两相复合样品中光催化活性最高样品TM6.0产氢速率的11倍。三相复合样品显示增强光催化产氢活性主要是由于吸附在Ti O_2/Mo S_2层状复合材料上的Au纳米颗粒具有表面等离子共振效应,能强烈吸收波长范围550–560 nm的可见光,诱导产生光生电子,金纳米颗粒上的电子受到激发后转移到Ti O_2导带上,Ti O_2导带上的电子传递给片状Mo S_2,最终在Mo S_2上催化氢气产生。 展开更多
关键词 TiO2纳米片 层状结构 au纳米颗粒 等离子体 光催化产氢
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石墨烯/NiAu复合透明导电层在GaN LED的应用 被引量:2
16
作者 郑雷 徐晨 +3 位作者 孙捷 许坤 陈茂兴 葛海亮 《电子科技》 2014年第2期109-111,137,共4页
通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势。研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系。结果表明,在1.5 nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1 nm/0.5 nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,... 通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势。研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系。结果表明,在1.5 nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1 nm/0.5 nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,石墨烯/NiAu复合透明导电层可以明显地降低GaN LED的工作电压,同时在蓝光波段具有很高的透光率,因而提高了GaN LED的发光性能。 展开更多
关键词 石墨烯 NI au 透明导电层 GAN LED
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黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究 被引量:1
17
作者 佟路 戴姜平 +7 位作者 谢自力 修向前 赵红 陈鹏 张荣 施毅 韩平 郑有炓 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期722-724,745,共4页
采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发... 采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制。 展开更多
关键词 au/Si 共晶 硅扩散 扩散阻挡层 退火气氛
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Au(111)-离子液体界面层状结构与温度关联的原位AFM力曲线研究 被引量:3
18
作者 张笑 钟赟鑫 +1 位作者 颜佳伟 毛秉伟 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期295-301,共7页
本文针对BMIPF6和OMIPF6两种离子液体,在电极表面远离零电荷电位且以负电荷表面电位下,运用AFM力曲线详细地研究了其与Au(111)单晶电极界面所形成的层状结构与温度的关联.在15~40oC的温度范围内,温度越低其离子液体层状结构越稳定.温... 本文针对BMIPF6和OMIPF6两种离子液体,在电极表面远离零电荷电位且以负电荷表面电位下,运用AFM力曲线详细地研究了其与Au(111)单晶电极界面所形成的层状结构与温度的关联.在15~40oC的温度范围内,温度越低其离子液体层状结构越稳定.温度对OMIPF6离子液体层状结构的稳定性和数目的影响较BMIPF6缓和:温度变化5oC,OMIPF6靠近表面第一层层状结构的力值变化仅为1~2 nN,而BMIPF6第一层层状结构的力值变化为3~5 nN;较低温下,BMIPF6中层状结构的数目有所增加,而OMIPF6的层状数目始终保持两层,且随温度的变化并不敏感.这可归因于两种离子液体的阳离子尺寸以及与电极表面的作用方式和强度不同;同时,OMIPF6较粘稠,其热运动受温度的影响不甚敏感. 展开更多
关键词 电化学界面 离子液体 au(111) 双电层 层状结构 AFM力曲线 温度影响
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Au/Fe磁性多层膜在离子束混合过程中的巨磁电阻效应在线研究
19
作者 李波 李正孝 《微纳电子技术》 CAS 2003年第11期40-42,共3页
在离子束混合条件下,在线研究了Au/Fe磁性多层膜转变为纳米颗粒膜过程中的巨磁电阻效应,发现了不同磁场强度下的离子束混合对巨磁电阻效应影响的初步规律,测量了不同注入剂量和磁场强度下的巨磁电阻,并对结果进行了讨论。
关键词 巨磁电阻 au/Fe 磁性多层膜 颗粒膜 离子束混合 金/铁
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Ti/Au复合电极在CdZnTe (111)B面上的表面结构与性能研究 被引量:1
20
作者 陶思祺 张继军 +3 位作者 王淑蕾 秦美琪 邱攀辉 宋晓龙 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第6期1089-1095,1103,共8页
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TE... 近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TEM、XPS、I-V等测试方法研究了电极与CdZnTe的界面结构、化学成分和电学性能。结果表明,Ti过渡层的引入可以减轻和改善晶片抛光过程中形成的损伤层,增加了电极与晶体之间的欧姆特性。相比于CdZnTe(111)B面上的Cr/Au复合电极,Ti/Au复合电极的粗糙度更低、接触界面更平整,晶格失配层厚度也更低。Ti中间层促进了金/半界面的互扩散现象,有利于增加黏附性和降低肖特基势垒,并且在Ti/Au复合电极与CdZnTe接触的界面上没有观察到氧元素的存在。I-V测试表明Ti/Au复合电极具有更加良好的欧姆特性和更低的肖特基势垒。 展开更多
关键词 CDZNTE Ti/au 接触界面 欧姆特性 晶格失配层 互扩散
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