快速凝固新型Au-Ag-Ge合金薄带的制备

采用单辊快速凝固法制备了Au-19.25Ag-12.80Ge合金薄带。利用TEM方法对合金薄带的显微组织进行了观察分析,根据热传输平衡方程对快速凝固过程冷却速率进行估算。结果表明：辊面线速度在18-24 m/s范围内时,快速凝固冷却速率可达8.93×10^5-1.293×10^6K/s,随着快速凝固冷却速率的增加,合金薄带厚度有所减小;单辊快速凝固工艺的冷却速率对合金薄带的显微组织有重要影响,由于快速凝固工艺增加了材料的固溶度,减小了成分偏析,细化了晶粒,因此显微组织更加均匀细小,形成了纳米晶,快速冷却工艺在金属熔液内垂直于辊轮方向上产生的冷却速度梯度,造成了晶粒内部应力集中现象的产生。

射频组件用键合金带的研究进展

射频组件的飞速发展促进了5G通信技术的推广应用。金带作为射频组件封装用关键键合材料,将板级系统集成于1个完整的组件电路系统中,对组件尺寸和性能起着至关重要的作用。目前键合金带的研究与开发已经成为学术界和产业界的研究热点,对近年来射频组件用键合金带在工业应用中的研究进展进行论述和分析,归纳了微量元素对金带的强化机理和对键合性能的影响。重点介绍了键合金带与键合金丝的微波特性,在相同条件下,键合金带的信号传输能力优于金丝,尤其是在高频段(20GHz以上)键合金带信号传输能力更加显著。对键合金带的制备工艺和工程应用中遇到的问题进行了梳理,总结了键合金带未来的发展趋势。

单辊旋淬Au-19.25Ag-12.80Ge钎料薄带的显微组织与焊接性能

采用单辊旋淬法制备Au-19.25Ag-12.80Ge钎料薄带,利用差热分析仪、SEM及TEM对钎料薄带的熔化特性及显微组织进行了观察分析,并对其与Ni的焊接性能加以研究。结果表明:单辊旋淬法制备Au-19.25Ag-12.80Ge钎料薄带的液相线温度比钎料母合金有所降低,熔化温度区间缩小了约4℃;单辊旋淬工艺使钎料薄带显微组织分布均匀且显著细化,近辊面一侧形成了尺寸40～50nm的纳米晶层,沿薄带厚度方向存在组织突变,这种突变是由存在的临界冷却速度造成的。钎料薄带与Ni基体表面润湿优良,形成了可靠的冶金结合界面,在相同条件下与Ni的焊接接头抗剪强度比钎料母合金形成的焊接接头提高了近60%。