微波电路中In/Au合金焊点的失效分析

本文针对微波电路元件焊接脱落问题,分析了In/Au合金焊点的微观结构及成分,研究了In/Au芯片焊接的失效模式.找出了焊点脱落的主要原因:温度控制不当引起焊点的过热吃金或焊料的氧化引起的浸润不良,导致焊点的结合强度不够,致使焊点脱落.根据分析提出了严格控制温度及焊接时使用氮气保护的改进意见,较好的解决了In/Au合金焊接脱落问题,支撑了微波电路的生产工艺.

用于高亮LED的Si键合研究

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。