化学抛光对Au/Hg_3In_2Te_6接触特性的影响

采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特性的影响规律与机制,优化了MIT晶体的化学抛光工艺参数。结果表明,MIT晶片采用5%Br2-C3H7ON溶液化学抛光2 min后,MIT晶片表面元素组分更接近标准计量比,所制备出的Au/MIT接触的反向漏电流最小。