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具有Au/MoO_3空穴注入层的有机发光二极管
被引量:
10
1
作者
涂爱国
周翔
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期157-161,共5页
研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介...
研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率。
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关键词
有机发光二极管
空穴注入层
au/moo3
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职称材料
题名
具有Au/MoO_3空穴注入层的有机发光二极管
被引量:
10
1
作者
涂爱国
周翔
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期157-161,共5页
基金
广东省科技计划(2007A010500011)资助项目
文摘
研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率。
关键词
有机发光二极管
空穴注入层
au/moo3
Keywords
OLEDs
hole injection layer
au/moo3
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有Au/MoO_3空穴注入层的有机发光二极管
涂爱国
周翔
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
10
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