Au/NiCr/Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大

用磁控溅射疗法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后溥膜晶体取向的变化, Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度褶对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大,分析认为主要是由于Ni。

Au/NiCr/Ta多层金属膜择优取向与残余应力的关系

研究了 Au/NiCr/Ta多层金属膜的择优取向、残余应力以及它们之间的关系.结果表明,在实验范围内,残余应力随沉积温度变化不大,沉积态薄膜均表现为残余拉应力,经400℃Ar气中退火60 min转变为压应力.相应出现（111）与（200）衍射峰相对强度比值减小.Au（200）取向增加时,倾向为压应力,择优取向最大时有最低的平均残余压应力;Au（111）择优取向最大时有最高的平均残余拉应力;说明Au膜的择优取向和残余应力状态存在一定的联系.

Au/NiCr/Ta多层金属膜的表面粗糙度和纳米压入硬度的研究

采用磁控溅射方法在Si-(111)基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,利用XRD分析晶体取向,SEM观察表面和断面形貌,AFM研究表面粗糙度,纳米压入研究薄膜硬度,结果表明薄膜表面粗糙度依赖于基体沉积温度,并且影响薄膜电阻和纳米硬度。

Au/NiCr/Ta薄膜生长的表面能和晶界能作用

用原子力显微镜(AFM)研究了Al2O3基体上磁控溅射Au/NiCr/Ta薄膜的表面生长形貌以及表面粗糙度,并根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机制,从能量角度分析了薄膜晶粒生长的表面能和晶界能交互作用效果。结果表明:磁控溅射的金属薄膜呈现柱状晶生长,随着沉积温度的升高,薄膜表面发生粗糙→光滑→粗糙的变化过程,表面能和晶界能的交互作用效果是导致薄膜表面粗糙度变化的根本原因。