Au／n-InP接触的热反应特性

研究了离子束溅射制备的Au／n—InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后，比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性质。实验结果表明在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面，退火后Au的价态升高，AuxIny合金中In的含量增加。退火后，在接触与n—InP的界面产生一个P聚集区，同时Au与InP反应生成Au2P3，金属-InP界面Au2P3的生成是比接触电阻降低的原因。