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电场对Au-Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究 被引量:2
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作者 时方晓 叶小燕 +2 位作者 姚文清 曹立礼 董宇辉 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1998年第3期261-266,共6页
利用原子力显微镜(AFM)和变角X射线光电子谱(VAXPS)技术研究了Au-Ag/SiO2体系在直流电场作用下,Au、Ag电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化。观察到较低温度下Au、Ag聚集状态的显著变化。发现电迁移... 利用原子力显微镜(AFM)和变角X射线光电子谱(VAXPS)技术研究了Au-Ag/SiO2体系在直流电场作用下,Au、Ag电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化。观察到较低温度下Au、Ag聚集状态的显著变化。发现电迁移过程中Au-Ag薄膜与SiO2基底之间存在界面化学反应,膜层中Au、Ag、Si等元素的化学状态发生了相应的变化。这些结果表明SiO2表面上Au-Ag复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩散,而是一个复杂的物理化学过程。在此基础上提出了电场作用下Au-Ag薄膜迁移扩散反应机制。 展开更多
关键词 电迁移 AFM VAXPS au-ag薄膜 复合薄膜
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