温度对Ar^+诱导Au-Si界面原子混合的影响

本文在77至573K温区研究了Ar^+诱导的Au-Si<111>界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q_((S)_i)—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au_(48)Si_(51)(≈AuSi)均匀混合层;T>32℃时,深入到Si中的Au原子呈指数衰减的尾巴,为解释此指数尾巴,提出了填隙原子增强扩散机制及方程。