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钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织及力学性能的影响 被引量:2
1
作者 韦小凤 朱学卫 +2 位作者 杨福增 杨有刚 王日初 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第22期84-91,共8页
通过回流焊技术制备Au-Sn/Ni焊点,通过扫描电子显微镜和能谱检测分析钎焊接头的微观组织及其相组成,利用疲劳试验机对焊点的剪切强度进行检测,研究不同钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织和力学性能的影响。结果表明,在310℃钎焊1 min的Au-Sn/N... 通过回流焊技术制备Au-Sn/Ni焊点,通过扫描电子显微镜和能谱检测分析钎焊接头的微观组织及其相组成,利用疲劳试验机对焊点的剪切强度进行检测,研究不同钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织和力学性能的影响。结果表明,在310℃钎焊1 min的Au-Sn/Ni焊点经过水冷或空冷后,焊料内部均形成镶嵌有离散分布的(Ni,Au)_3Sn_2相的(Au5Sn+Au Sn)共晶组织,焊料/Ni界面处形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(intermetallic compound,IMC)层;钎焊后炉冷的焊点,由于冷却速度过慢,导致焊料中Ni质量分数增大,(Ni,Au)_3Sn_2相异常长大消耗共晶组织中的(Au,Ni)Sn相,焊料共晶组织消失。随着钎焊时间的延长,基板中的Ni原子不断往焊料扩散,界面处的IMC层厚度均有不同程度的增加。随钎焊时间延长焊点的剪切强度逐渐下降,而剪切断裂模式为脆性断裂,发生在焊料与金属间化合物层的界面处。Au-Sn/Ni焊点在310℃下钎焊1 min,并采用水冷方式时得到的力学性能最佳。 展开更多
关键词 au-sn/Ni焊点 界面反应 IMC层 剪切强度
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用于大功率半导体激光器封装的Au-Sn合金焊料的制备和特性研究 被引量:6
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作者 黄波 陈金强 +4 位作者 杨凯 孙亮 宋国才 高欣 薄报学 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2007年第3期1-4,共4页
介绍了具有极好热特性、电特性和机械特性以及相对低的熔化温度的Au(80wt.%-Sn(20wt.%)共熔合金焊料的制备方法和过程,研究了用于焊接大功率半导体激光器的Au-Sn合金的特性,并探讨了获得可靠焊接应注意的问题。
关键词 au-sn合金焊料 大功率半导体激光器 共熔合金 焊接
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面向异质集成的Au-Sn、Au-In晶圆级键合 被引量:3
3
作者 吴焱 刘鹏飞 姜理利 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期246-250,290,共6页
针对高温(>300℃)及低温(<200℃)键合应用场景,提出了一种多沟槽键合结构,对键合参数、金属层厚度等方面进行优化,实现了基于Au-Sn键合、Au-In键合的三层GaAs-Si异质晶圆级堆叠。Au-Sn键合强度均大于293.10 MPa,键合区内观测到高... 针对高温(>300℃)及低温(<200℃)键合应用场景,提出了一种多沟槽键合结构,对键合参数、金属层厚度等方面进行优化,实现了基于Au-Sn键合、Au-In键合的三层GaAs-Si异质晶圆级堆叠。Au-Sn键合强度均大于293.10 MPa,键合区内观测到高强度、高可靠性的AuSn共晶组织。研究了单面In结构的Au-In扩散机理,提出不同阶段下Au-In扩散顺序及生成的金属间化合物。 展开更多
关键词 au-sn键合 Au-In键合 异质集成 扩散机理
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电镀Au-Sn合金的研究 被引量:7
4
作者 张静 徐会武 +2 位作者 李学颜 苏明敏 陈国鹰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1066-1069,共4页
Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-S... Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-Sn合金组分,用测厚仪测试镀层厚度,计算出镀速,最终确定电镀Au-Sn(质量分数为20%)合金的电镀条件,并对微氰和无氰电镀液优缺点进行了对比分析。 展开更多
关键词 金锡合金 微氰 无氰 电镀 电流密度 扫描电镜
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Microstructural evolution of Au-Sn solder prepared by laminate rolling during annealing process 被引量:5
5
作者 WEI Xiaofeng WANG Richu FENG Yan ZHU Xuewei PENG Chaoqun 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期627-632,共6页
The microstructural evolution and inteffacial reaction of the Au/Sn/Au/Sn/Au/Sn/Au couples were investigated during annealing at 453, 523, and 543 K for up to 240 h. The Au/Sn combination formed a rapid diffusion syst... The microstructural evolution and inteffacial reaction of the Au/Sn/Au/Sn/Au/Sn/Au couples were investigated during annealing at 453, 523, and 543 K for up to 240 h. The Au/Sn combination formed a rapid diffusion system. Even in rolled Au-Sn solder, three phases, such as AuSn, AuSn2, and AuSn4, were formed. After initial annealing at 453 K, the diffusion layers of AuSn, AuSn2, and AuSn4, which were formed after rolling, expanded gradually and then fully transformed into phase (containing Sn from 10% to 18.5%, mole fraction) and 6 (AuSn) phase. As a whole, the microstmcture of the couple was stable during annealing at 453 K. The solid-state interracial reaction was much faster at 523 K than at 453 K. After annealing at 523 K for 6 h, the AuSn, AuSn2, and AuSn4 were fully transformed into the phase and phase (AuSn). In spite of the prolonged annealing time for up to 240 h, no significant change of the interfacial microstructure occurred, and the microstructure of the couple was stable during annealing at 523 K. When annealing at 543 K, however, the interfacial of Au/Sn was transformed into solid-liquid state, and the whole couple formed a eutecfic structure rapidly, causing the solder to be brittle. The study results clearly demonstrate that the service temperature of the Au-Sn solder should be lower than 543 K. 展开更多
关键词 au-sn solders intermetallic compounds (IMCs) rolling-annealing method interfacial reaction microstructural evolution
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Au-Sn合金电镀 被引量:1
6
作者 王丽丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期36-37,42,共3页
概述了改善的AuSn 合金镀液, 可以稳定地形成组成为80w t% Au、20w t% Sn 的AuSn 合金镀层, 适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成AuSn 合金微细焊料图形。
关键词 au-sn合金 有机酸锡盐 半导体制造工艺 电镀
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Effects of Cu addition on growth of Au-Sn intermetallic compounds at Sn-xCu/Au interface during aging process
7
作者 TIAN Yanhong,WANG Chunqing,and LIU Wei Microjoining Laboratory,State Key Laboratory of Advanced Welding Production Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 15000,China 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第S1期331-337,共7页
The growth of Au-Sn intermetallic compounds(IMCs) is a major concern to the reliability of solder joints in microelectronic,optoelectronic and micro-electronic-mechanical system(MEMS) which has a layer of Au metalliza... The growth of Au-Sn intermetallic compounds(IMCs) is a major concern to the reliability of solder joints in microelectronic,optoelectronic and micro-electronic-mechanical system(MEMS) which has a layer of Au metallization on the surface of components or leads.This paper presented the growth behavior of Au-Sn IMCs at interfaces of Au metallization and Sn-based solder joints with the addition of Cu alloying element during aging process,and growth coefficients of the Au-Sn IMCs were calculated.Results on the interfacial reaction between Sn-xCu solders and Au metallization during aging process show that three layers of Au-Sn IMCs including AuSn,AuSn2 and AuSn4 formed at the interface region.The thickness of each Au-Sn IMC layer vs square root of aging time follows linear relationship.Calculation of the IMC growth coefficients shows that the diffusion coefficients decrease with the addition Cu elements,which indicates that Cu addition suppresses the growth of Au-Sn IMCs layer. 展开更多
关键词 Sn-based solder alloys Cu alloying element au-sn intermetallic compounds
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碱性镀Au-Sn合金
8
《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期64-64,共1页
关键词 碱性镀 au-sn合金 空心珠宝电铸白金 镀槽 镀层 晶相 组成
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用于微电子和光电子Au-Sn合金的脉冲电镀
9
《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期78-78,共1页
关键词 微电子 光电子 au-sn合金 脉冲电镀
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分步法电镀制备的Au-Sn共晶凸点的微观组织
10
作者 潘剑灵 黄明亮 赵宁 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期2016-2022,共7页
研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对Au、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au-Sn共晶凸点。结果表明:镀Au过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并... 研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对Au、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au-Sn共晶凸点。结果表明:镀Au过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并在摩尔浓度比为1:6时获得了最快的沉积速度;当电镀温度较低时,镀Au层表面呈多孔状,随着温度的升高,镀层致密性增加,晶粒也趋于圆滑。镀Sn过程中,随着Sn离子与焦磷酸钾摩尔浓度比的增大,镀层表面起伏加剧,镀层孔洞增多。当pH值为8.0时,镀层平整致密,随着pH值的增高,析氢反应加剧,Sn离子水解,导致镀层质量下降。运用分步法电镀制备的Au/Sn/Au三层结构薄膜均匀,回流得到了具有典型共晶组织的Au-Sn凸点。 展开更多
关键词 分步法电镀 回流 共晶组织 凸点
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采用底部填料预涂工艺的Au-Sn粘结倒芯片COF技术 被引量:1
11
作者 蔡积庆 《印制电路信息》 2004年第10期60-64,共5页
概述了COF粘结技术以及应用底部填料预涂工艺的Au-Sn粘结倒芯片COF技术。
关键词 COF 芯片 技术 底部
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Au-Sn金属间化合物的第一性原理研究 被引量:15
12
作者 胡洁琼 谢明 +3 位作者 张吉明 刘满门 杨有才 陈永泰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期272-279,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,计算研究了Au-Sn二元系金属间化合物的生成焓、结合能、电子结构、弹性性质和结构稳定性.计算结果表明:Au5Sn合金的生成焓最小,说明Au5Sn较容易生成,但Au5Sn在热力学和力学上是不稳定的;A... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,计算研究了Au-Sn二元系金属间化合物的生成焓、结合能、电子结构、弹性性质和结构稳定性.计算结果表明:Au5Sn合金的生成焓最小,说明Au5Sn较容易生成,但Au5Sn在热力学和力学上是不稳定的;AuSn2和AuSn4的键合作用较强,弹性模量、剪切模量均大于AuSn和Au5Sn;从电子结构的角度,AuSn2和AuSn4的成键主要来自于Au原子d轨道与Sn原子p轨道的杂化;而AuSn以Sn—Sn键的相互作用为主,Au5Sn相中Au的占比较大,导致Au—Au共价键发挥作用,抑制了Sn导带p电子的成键. 展开更多
关键词 电子结构 弹性性质 第一性原理 au-sn金属间化合物
原文传递
无氰共沉积Au-Sn共晶合金薄膜
13
作者 唐定 朱莞烨 衷水平 《金属功能材料》 CAS 2022年第4期22-27,共6页
电化学沉积是一种制备高性能与高可靠Au-30%(原子分数)Sn共晶合金封装材料的较好方法。采用恒电流法从一种无氰Au-Sn电镀液中沉积得到Au-Sn共晶合金薄膜。通过电化学测试、合金薄膜成分与形貌分析以及多批次重现性实验,确定在-2.0 mA/cm... 电化学沉积是一种制备高性能与高可靠Au-30%(原子分数)Sn共晶合金封装材料的较好方法。采用恒电流法从一种无氰Au-Sn电镀液中沉积得到Au-Sn共晶合金薄膜。通过电化学测试、合金薄膜成分与形貌分析以及多批次重现性实验,确定在-2.0 mA/cm^(2)电流密度下可以沉积出表面平整致密且Sn原子含量稳定在30%(原子分数)左右的Au-Sn共晶合金薄膜。Au-Sn共晶合金薄膜的沉积速率约为5.0μm/h。差热分析曲线(DSC)表明,Au-Sn共晶合金薄膜共晶点温度为277.4℃,与理论值相一致。另外,该无氰Au-Sn电镀液具有较好的储存寿命。研究结果可以为无氰共沉积Au-Sn共晶合金薄膜提供一定的参考和经验。 展开更多
关键词 au-sn共晶合金 无氰电镀液 共沉积 沉积速率 储存寿命
原文传递
金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究
14
作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页
薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合
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金锡镀层在CSP气密封装中的应用及其可靠性
15
作者 李亚飞 王宇翔 +4 位作者 籍晓亮 温桎茹 米佳 汪红兵 郭福 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期49-55,I0006,共8页
芯片级尺寸封装的气密性被越来越广泛的关注,为了实现CSP器件的可伐管帽与陶瓷基板之间的气密性互连,采用分层电镀沉积的方法在高温共烧陶瓷(HTCC)基板表面制备了金/锡/金镀层,利用金与锡间的共晶反应以实现管帽和基板的气密性可靠封接... 芯片级尺寸封装的气密性被越来越广泛的关注,为了实现CSP器件的可伐管帽与陶瓷基板之间的气密性互连,采用分层电镀沉积的方法在高温共烧陶瓷(HTCC)基板表面制备了金/锡/金镀层,利用金与锡间的共晶反应以实现管帽和基板的气密性可靠封接.文中分析了金/锡/金镀层质量、焊接工艺对Au80Sn20共晶焊料封接结果的影响.结果表明,金/锡/金镀层厚度和层间的结合力决定了Au-Sn共晶焊料的封接质量.在焊接升温过程中,锡镀层首先熔化形成“熔池”,溶解上下侧与之接触的金镀层,直至完成共晶反应;采用较短的焊接时间能够实现更好的金锡共晶封接;焊接温度为330℃、保温时间为30 s时,Au-Sn镀层共晶反应形成δ/(Au,Ni)Sn—ζ相—δ/(Au,Ni)Sn的分层共晶组织,实现了可伐管帽与HTCC基板的气密性封接. 展开更多
关键词 au-sn焊料 共晶反应 电镀沉积 CSP封装
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Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低原因分析
16
作者 胡立业 何洪涛 杨志 《电子工艺技术》 2023年第5期46-50,共5页
分析了某MEMS器件Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低的原因,发现该问题主要由“金脆”现象引起。结合实践经验和相关文献,总结了“金脆”现象发生的一般规律,制定了一个可以避免该现象发生的工艺方案,并开展了针对性的验证试验。试验结果表... 分析了某MEMS器件Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低的原因,发现该问题主要由“金脆”现象引起。结合实践经验和相关文献,总结了“金脆”现象发生的一般规律,制定了一个可以避免该现象发生的工艺方案,并开展了针对性的验证试验。试验结果表明,通过优化键合焊料系统的组分配比可以避免“金脆”现象的发生,同时也证实了这一措施是可行有效的。 展开更多
关键词 Sn-Cu-Au低温圆片 键合 金脆 金属间化合物 锡基焊料 键合强度 剪切强度 剪切力
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不同剪切速率下锡银铜系/镍金焊点的断裂行为研究
17
作者 王加俊 蔡珊珊 +1 位作者 罗晓斌 彭巨擘 《贵金属》 CAS 北大核心 2023年第2期1-8,共8页
对锡银铜系高可靠性焊料合金的研究虽然已经较为广泛,但是缺乏对其焊点在不同应变速率下的剪切强度和断裂模式的研究。本文将牌号为SAC305和Innolot不同成分的锡银铜系焊料合金锡膏印刷在镍金镀层(Ni(P)/Au)上回流成BGA焊点,采用DAGE400... 对锡银铜系高可靠性焊料合金的研究虽然已经较为广泛,但是缺乏对其焊点在不同应变速率下的剪切强度和断裂模式的研究。本文将牌号为SAC305和Innolot不同成分的锡银铜系焊料合金锡膏印刷在镍金镀层(Ni(P)/Au)上回流成BGA焊点,采用DAGE4000HS焊接强度测试仪进行不同剪切速率下的剪切性能测试,并对其剪切曲线、剪切强度及断裂能进行计算和分析,再采用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)对焊点界面微观结构及断口进行表征分析。结果表明:合金本身成分的差异导致焊点界面金属间化合物层(IMC层)厚度和分布存在差异,随着剪切速率的增加,SAC305和Innolot合金焊点的强度总体上都随之增加,且焊点的断裂模式由焊点基体内部的韧性断裂向界面金属间化合物脆性断裂发生转变,Innolot合金由于其他金属元素添加导致的强化作用使得其剪切强度得到较大提升而塑性损伤。 展开更多
关键词 高可靠无铅焊料 锡银铜系 镍金镀层 剪切速率 断裂模式
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基于Au基共晶焊料的焊接技术及其应用 被引量:21
18
作者 胡永芳 李孝轩 禹胜林 《电焊机》 2008年第9期57-60,共4页
采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的... 采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的空洞率,剪切强度远大于砷化镓本身材料的强度,生产效率高,能够满足产品的大批量生产应用。 展开更多
关键词 Au/Sn焊料 Au/Ge焊料 空洞率
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ICP-AES法同时测定金锡合金中13个杂质元素 被引量:5
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作者 何姣 李光俐 +2 位作者 贺胜男 王应进 蔡文云 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期55-59,共5页
试样用HCl-HNO3溶解,采用ICP-AES法同时测定金锡合金中铝、铍、铋、钙、镉、铬、铜、铁、镁、锰、镍、铅、锌等13个杂质元素。对基体金、锡的影响、元素分析谱线、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。样品加标回... 试样用HCl-HNO3溶解,采用ICP-AES法同时测定金锡合金中铝、铍、铋、钙、镉、铬、铜、铁、镁、锰、镍、铅、锌等13个杂质元素。对基体金、锡的影响、元素分析谱线、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。样品加标回收率为90.2%~117.8%,相对标准偏差为3.6%~7.5%。方法操作简便、快速、准确。 展开更多
关键词 分析化学 ICP-AES 金锡合金 杂质元素
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基于金基钎料的毫米波T/R组件连接技术研究 被引量:5
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作者 许立讲 李孝轩 +1 位作者 刘刚 严伟 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期60-62,66,共4页
介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密... 介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密封装技术。试验结果表明,共晶焊接试验芯片通过X-ray检测焊透率高于95%,焊接接头剪切强度满足国军标要求;组件气密封装试验组件气密性达到10-10Pa.m3/s,毫米波T/R组件电性能测试满足设计要求。 展开更多
关键词 金锡 金锗 毫米波 T/R组件 连接
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