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AuSn20/Ni焊点的界面反应及剪切强度 被引量:7
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作者 韦小凤 王日初 +1 位作者 彭超群 冯艳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1907-1913,共7页
采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-A... 采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-Au5Sn+δ-AuSn共晶组织和棒状(Ni,Au)3Sn2相。焊点在150℃退火时,界面反应速度较慢,金属间化合物(IMC)层厚度随着退火时间延长而缓慢增大;焊点的剪切强度随退火时间延长有较小幅度下降。在200℃退火时,AuSn20/Ni的界面反应速度较快,焊料/Ni界面形成(Au,Ni)Sn+(Ni,Au)3Sn2复合IMC层。焊点的剪切强度随退火时间延长呈较大幅度下降。从焊点力学可靠性方面考虑,AuSn20/Ni焊点不宜在200℃及以上温度长时间服役。 展开更多
关键词 ausn20 Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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AuSn20焊料制备技术及发展趋势 被引量:5
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作者 孙晓亮 马光 +1 位作者 李银娥 刘啸锋 《电工材料》 CAS 2010年第3期9-11,共3页
随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法... 随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法及电镀沉积法的不足,提出了研究及制备AuSn20合金焊料的技术改进方案。 展开更多
关键词 无铅化 ausn20焊料 制备 技术改进
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Cu/AuSn20/Ni焊点界面组织及剪切强度 被引量:1
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作者 韦小凤 王日初 +1 位作者 李海普 彭超群 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期2205-2209,共5页
采用回流焊技术制备Cu/AuSn20/Ni(质量百分比)焊点,通过扫描电子显微镜及电子万能试验机分析焊点在300℃钎焊后的界面组织及剪切强度。结果表明,Cu/AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊较短时间时,AuSn20焊料形成(Au5Sn+AuSn)共晶组织... 采用回流焊技术制备Cu/AuSn20/Ni(质量百分比)焊点,通过扫描电子显微镜及电子万能试验机分析焊点在300℃钎焊后的界面组织及剪切强度。结果表明,Cu/AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊较短时间时,AuSn20焊料形成(Au5Sn+AuSn)共晶组织,Cu/AuSn20上界面形成胞状的ζ-(Au,Cu)5Sn层;AuSn20/Ni下界面形成片状(Ni,Au)3Sn2金属间化合物(IMC);随着钎焊时间的延长,基板中Cu、Ni原子不断往焊料扩散,焊料成分发生变化,冷却后焊点的共晶组织消失,上界面形成ζ(Cu)固溶体,下界面的片状(Ni,Au)3Sn2不断长大形成连续IMC层,焊点组织最终由℃(Cu)固溶体和(Ni,Au)3Sn2IMC组成。钎焊接头的剪切强度随钎焊时间延长而增大,但是增大幅度较小。 展开更多
关键词 Cu/ausn20/Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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老化退火中Cu/AuSn20/Ni焊点的组织演变
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作者 彭健 王日初 +2 位作者 韦小凤 刘锐 王檬 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期84-88,共5页
研究Cu/AuSn20/Ni焊点在120、160和200℃下老化退火时金属间化合物(IMC)层的组织形貌、生长动力学以及焊点剪切性能。结果表明:在老化退火过程中,焊点Cu/AuSn20上界面形成AuCu和Au(Cu,Sn)复合IMC层,Ni/AuSn20下界面形成(Ni,Au,Cu)3Sn2四... 研究Cu/AuSn20/Ni焊点在120、160和200℃下老化退火时金属间化合物(IMC)层的组织形貌、生长动力学以及焊点剪切性能。结果表明:在老化退火过程中,焊点Cu/AuSn20上界面形成AuCu和Au(Cu,Sn)复合IMC层,Ni/AuSn20下界面形成(Ni,Au,Cu)3Sn2四元IMC层;IMC层厚度随着退火时间延长而逐渐增大,其生长动力学分析表明AuCu层和Au(Cu,Sn)层的生长机制为体积扩散,而(Ni,Au,Cu)3Sn2层的生长机制为反应扩散;IMC层的长大速率随温度升高而增大;焊点的室温剪切强度随AuCu和Au(Cu,Sn)层厚度增大而大幅降低,剪切断裂发生在Cu/AuSn20界面。 展开更多
关键词 Cu/ausn20/Ni焊点 老化退火 生长动力学 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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AuSn20/Au/Ni焊点剪切性能研究 被引量:1
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作者 叶惠婕 王捷 +1 位作者 吴懿平 陈卫民 《电子工艺技术》 2020年第2期63-66,70,共5页
采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni... 采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随应变率增大而增大,在3μm^12μm的AuSn20焊层厚度范围内,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随AuSn20焊层厚度增大而增大。 展开更多
关键词 ausn20/Au/Ni 金锡焊料 剪切强度 金属间化合物
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GaAs功率芯片AuSn20共晶焊接技术研究 被引量:2
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作者 任卫朋 刘凯 +2 位作者 罗燕 陈靖 余之光 《科技创新与应用》 2019年第25期109-110,113,共3页
针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、... 针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、浸润,共晶熔融时间控制在15-30s可以形成适量的IMC层。对优化后的共晶焊接面进行热阻分析,在满负荷条件下,功率芯片最高节温为93℃,满足小于125℃的要求,说明共晶质量良好。 展开更多
关键词 功率芯片 ausn20焊料 共晶焊接
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Growth behavior and microstructure of intermetallics at interface of AuSn20 solder and metalized-Ni layer
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作者 Xiao-feng WEI Xue-wei ZHU Ri-chu WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第5期1199-1205,共7页
The AuSn20/Ni joints were prepared by the reflow soldering technology and then annealed at solid-state temperature to form diffusion couples.The interfacial reactions and the growth kinetics of the intermetallic compo... The AuSn20/Ni joints were prepared by the reflow soldering technology and then annealed at solid-state temperature to form diffusion couples.The interfacial reactions and the growth kinetics of the intermetallic compounds(IMC)at the AuSn20/Ni soldering interface were investigated by scanning electron microscopy(SEM)and electron probe microanalysis(EPMA).The results show that,the(Ni,Au)3Sn2phases are formed at the AuSn20/Ni interface after soldering at583K.The thickness l of the IMC layer monotonically increases with increasing annealing time t according to the relationship l=k(t/t0)n,where the exponent n is0.527,0.476and0.471for393,433and473K annealing,respectively.This indicates that the volume diffusion contributes to the growth of the IMC layer at the AuSn20/Ni interface at solid-sate temperature.The pre-exponential factor K0=1.23×10?7m2/s and the activation enthalpy QK=81.8kJ/mol are obtained from the results of the parabolic coefficient K by a least-squares method. 展开更多
关键词 ausn20/Ni joint interfacial reaction growth kinetics volume diffusion mechanism
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AuSn20共晶合金钎料制备工艺研究进展 被引量:8
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作者 刘生发 陈晨 +3 位作者 熊杰然 熊文勇 胡哲兵 黄尚宇 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期952-956,共5页
AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液... AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液态成形工艺、薄膜工艺和快速凝固工艺制备AuSn20钎料的原理和特点,指出了制备工艺的发展方向。 展开更多
关键词 ausn20钎料 脆性 制备工艺 快速凝固
原文传递
成形工艺对AuSn20共晶钎料薄带组织与性能的影响 被引量:2
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作者 刘生发 陈柱 +5 位作者 刘俐 熊杰然 熊文勇 胡哲兵 陈晨 黄尚宇 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期712-716,共5页
采用普通凝固-轧制工艺和快速凝固-轧制工艺制备了两种AuSn20共晶合金钎料薄带,借助OM、FESEM、XRD、EPMA、EDS、DSC和MTS陶瓷试验系统,比较了其显微组织、物相组成、成分分布、熔化特性和剪切强度。结果表明,相对于普通凝固-轧制工艺,... 采用普通凝固-轧制工艺和快速凝固-轧制工艺制备了两种AuSn20共晶合金钎料薄带,借助OM、FESEM、XRD、EPMA、EDS、DSC和MTS陶瓷试验系统,比较了其显微组织、物相组成、成分分布、熔化特性和剪切强度。结果表明,相对于普通凝固-轧制工艺,快速凝固-轧制工艺制备的AuSn20共晶合金钎料薄带组织细小、成分均匀,固相线温度和液相线温度分别降低了4.9℃和7.4℃,熔化区间减小2.5℃,润湿性和剪切强度分别提高了10.96%和19.02%。 展开更多
关键词 快速凝固 ausn20钎料 显微组织 性能
原文传递
保温时间对GaAs功率芯片钎缝组织及性能的影响
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作者 任卫朋 罗燕 +2 位作者 刘凯 陈靖 王立春 《焊接技术》 2019年第6期15-17,5,共4页
GaAs芯片的使用性能受其散热效果决定,而散热主要依靠散热垫块与芯片连接的钎缝来决定。为增加钎缝的散热效果和基体结合强度,文中分别在芯片层利用物理气相沉积方法沉积Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散热垫块上沉积Ni和Au膜,采用AuSn20共晶钎... GaAs芯片的使用性能受其散热效果决定,而散热主要依靠散热垫块与芯片连接的钎缝来决定。为增加钎缝的散热效果和基体结合强度,文中分别在芯片层利用物理气相沉积方法沉积Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散热垫块上沉积Ni和Au膜,采用AuSn20共晶钎料,研究保温时间对钎焊缝组织和界面结合性能影响。研究结果表明:共晶结构主要由15~20μm厚的合金层和0.5~3μm厚的IMC层构成。随着保温时间延长,合金中Sn元素会逐渐被IMC层消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相区迁移,相比例增加,保温时间超过60 s后, IMC层厚度超过3.9μm,剪切力快速减小至89.67 N。 展开更多
关键词 GaAs芯片 ausn20钎料 过渡层 界面反应 组织演变
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温度对金锡合金焊料共晶形貌影响机制研究 被引量:1
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作者 刘洪涛 《微处理机》 2021年第6期1-4,共4页
金锡焊料熔封作为典型的高可靠气密封装方式,广泛应用于航空航天、船舶舰艇、导弹雷达、装甲坦克等装备系统器件。鉴于金锡焊料环对成分和质量有严格的控制要求,在实际应用中会由于管壳、盖板母材及其镀层的参与造成对共晶点的偏离,得... 金锡焊料熔封作为典型的高可靠气密封装方式,广泛应用于航空航天、船舶舰艇、导弹雷达、装甲坦克等装备系统器件。鉴于金锡焊料环对成分和质量有严格的控制要求,在实际应用中会由于管壳、盖板母材及其镀层的参与造成对共晶点的偏离,得到更为复杂的焊接状态。为深入剖析封装机理、提高封装质量,对影响共晶界面形貌最为重要的温度因素展开研究。设定不同峰值温度,通过扫描焊接样品截面,观察界面化合物状态和分布,研究密封过程中工艺参数对封焊区微观形貌的影响,得到焊缝厚度、树枝晶化合物厚度、Ni元素扩散距离等界面状态随峰值温度变化的趋势,为进一步提高金锡焊料熔封可靠性提供理论参考。 展开更多
关键词 金锡合金 焊料 共晶 峰值温度 界面形貌
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热循环条件下光纤连接器金锡焊点性能研究 被引量:2
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作者 吴丰顺 许晓珊 +1 位作者 周龙早 宋帆 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期51-56,共6页
针对光纤连接器在特殊环境应用中经受极端高温和极端低温交替变化,在焊缝处易产生疲劳裂纹、影响焊点可靠性的问题,建立了有限元模型,采用黏塑性本构方程描述金锡焊点的力学行为,模拟光纤连接器在服役过程中连接界面处的应力应变场,探... 针对光纤连接器在特殊环境应用中经受极端高温和极端低温交替变化,在焊缝处易产生疲劳裂纹、影响焊点可靠性的问题,建立了有限元模型,采用黏塑性本构方程描述金锡焊点的力学行为,模拟光纤连接器在服役过程中连接界面处的应力应变场,探究不同结构参数对焊点应力和变形的影响.结果发现:裂纹萌生的危险点位于下端面焊料层与可伐合金底座的交界面上,其累积非弹性应变值最大为1.22×10^-3;裂纹往往由上下端面萌生,逐渐向中心扩展,最终贯穿焊料层.通过比较不同结构参数对焊点应力应变影响,发现当焊料层厚度为50μm,即底座孔内径为1.49mm,插针外径为1.39mm时,焊料层中应力和累积非弹性应变值最小,发生疲劳损伤的可能性也最小. 展开更多
关键词 光纤连接器 热循环 有限元模拟 ausn20焊料 应力应变场
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