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PtTi阻挡层对AuTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响 被引量:1
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作者 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期81-84,共4页
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡... 用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡层下面的Ti扩散穿过接触层并消耗接触层的GaAs,在欧姆接触层下形成Ti-Ga-As/GaAs接触。接触电阻Rc迅速增加,由原始的几欧增大到几百欧。在320℃热处理时,系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。 展开更多
关键词 auti/auge 欧姆接触 俄歇电子能谱
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