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PtTi阻挡层对AuTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响
被引量:
1
1
作者
蒋幼泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期81-84,共4页
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡...
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡层下面的Ti扩散穿过接触层并消耗接触层的GaAs,在欧姆接触层下形成Ti-Ga-As/GaAs接触。接触电阻Rc迅速增加,由原始的几欧增大到几百欧。在320℃热处理时,系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。
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关键词
auti/auge
欧姆接触
俄歇电子能谱
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职称材料
题名
PtTi阻挡层对AuTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响
被引量:
1
1
作者
蒋幼泉
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期81-84,共4页
文摘
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡层下面的Ti扩散穿过接触层并消耗接触层的GaAs,在欧姆接触层下形成Ti-Ga-As/GaAs接触。接触电阻Rc迅速增加,由原始的几欧增大到几百欧。在320℃热处理时,系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。
关键词
auti/auge
欧姆接触
俄歇电子能谱
Keywords
Barrier Layer, AnTi
/auge
: Ni/GaAs System, Thermostability,Ohmic Contact, AES
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PtTi阻挡层对AuTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响
蒋幼泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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