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钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究 被引量:15
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作者 周世平 李龙土 +1 位作者 桂治轮 张孝文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期364-369,共6页
研究了(Sr_(0.48)Pb_(0.48)Y_(0.03)Ca_(0.01))TiO_3基陶瓷的半导化行为。结果表明:PbO适当过量有利于半导化。Raman光谱,AES(Augerelectronspectrosc... 研究了(Sr_(0.48)Pb_(0.48)Y_(0.03)Ca_(0.01))TiO_3基陶瓷的半导化行为。结果表明:PbO适当过量有利于半导化。Raman光谱,AES(Augerelectronspectroscopy)分析表明,随着SiO_2含量的增加,氧空位浓度及Ti ̄(3+)浓度增大,XRD分析表明,随SiO_2含量增大,轴比c/a增大。 展开更多
关键词 钛酸锶铅基 陶瓷 半导化 光谱
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PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析 被引量:2
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作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 刘剑 刘小阳 王锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期73-76,共4页
采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
关键词 PECVD法 SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分 电学性能
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全碳分子C_60/C_70的X射线电子谱
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作者 杨业智 莫少波 +3 位作者 姚松年 朱绫 陈涑年 盛蓉生 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1992年第3期131-134,共4页
用Mg k_xΧ射线得到的全碳分子C_60/C_70和石墨的芯级C_18谱、价带(YB)谱和俄歇电子(CKLL)谱。结果表明,C_60/C_70中碳原子的杂化态主要是sP^2,但存在着一定的sP^3.使用XAES可以表征C_60/C_70和石墨,且是一种灵敏而有效的方法。
关键词 C60 C70 XPS XAES 全碳分子
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Al/BaTiO_3/Si湿度传感器的电特性
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作者 吴英才 《湛江水产学院学报》 CAS 1995年第2期65-67,共3页
用氩离子束镀膜法制备BaTiO3/Si结构,并在400~900℃的温度下用氮气保护进行退火,用常规蒸铝技术制成Al/BaTiO3/Si湿度传感器。用俄歇电子能谱分析BaTiO3膜的化学组分。采用高频电容—电压测试仪测... 用氩离子束镀膜法制备BaTiO3/Si结构,并在400~900℃的温度下用氮气保护进行退火,用常规蒸铝技术制成Al/BaTiO3/Si湿度传感器。用俄歇电子能谱分析BaTiO3膜的化学组分。采用高频电容—电压测试仪测定BaTiO3/Si结构的固定电荷密度,分析固定电荷密度与退火的关系。结果表明:固定电荷密度达1011cm-2数量级。经900℃、60分钟退火后固定电荷密度下降至19%到20%。随着固定电荷密度的减少,湿度传感器的响应时间延长了60%,而击穿电压提高了7倍。 展开更多
关键词 钛酸钡 俄歇电子能谱 固定电荷密度 湿度传感器
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Ar原子内壳层激发态俄歇衰变过程
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作者 孙言 桑萃萃 《青海师范大学学报(自然科学版)》 2016年第1期18-20,共3页
研究了Ar原子2p内壳层激发态的俄歇衰变过程.在全相对论框架下计算了相应的俄歇电子谱.计算结果与最新的实验结果符合很好.
关键词 俄歇电子谱 AR原子 内壳层激发态
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SiC_xN_y:H薄膜的FTIR研究
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作者 郭慧 张伟 +4 位作者 朱景兵 苏诚培 邬建根 王季陶 屈逢源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期253-258,共6页
用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜... 用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜具有较好的热稳定性。 展开更多
关键词 SiCxNy:H 薄膜 FTIR PECVD
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Chemical composition and Mott-Schottky analysis of passive film formed on G3 alloy in bicarbonate/carbonate buffer solution
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作者 Dangguo LI Darong CHEN Jiadao WANG Haosheng CHEN 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期461-472,共12页
The chemical composition and semi-conductive properties of passive film on nickel- based alloy (G3 alloy) in bicarbonate/carbonate buffer solution were investigated by Auger electron spectroscopy (AES), X-ray phot... The chemical composition and semi-conductive properties of passive film on nickel- based alloy (G3 alloy) in bicarbonate/carbonate buffer solution were investigated by Auger electron spectroscopy (AES), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), elec- trochemical impedance spectra (EIS) and Mott-Schottky plot. AES and XPS results showed that the passive film appeared double-layer structure, in which the inner film was composed of nickel oxide, the mixed nickel-chromium-molybdenum-manganese oxides were the major component of the outer film. The electrochemical results revealed that the factors including frequency, potential, time, temperature and pH value can affect the semi-conductive property, the doping densities decreased with increasing potential and pH value, prolonging time and decreasing temperature. According to the above results, it can be concluded that the film protection on the substrate was enhanced with increasing potential and pH value, prolonging time and decreasing temperature. 展开更多
关键词 Nickel-based alloy auger electron analysis (AES) X-ray photo- electron spectroscopy (XPS) Electrochemical impedance spectra (EIS) Mott-Schottky plot
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