双异质结激光器的Auger复合分析

本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。

1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合

报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＨ激光器Ｔ０值的主要因素。

俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。

突变HBT准费密能级分裂与复合电流

要精确描述HBT的复合电流,必须考虑异质结界面处的准费密能级分裂。而重掺杂改变了分裂量的大小,从而使复合电流发生与之相对应的变化。本文利用更准确的考虑了重掺杂效应影响的准费密能级分裂模型,计算了各种复合电流。通过比较得出准费密能级分裂对复合电流的重要性。

Ge_2Sb_2Te_5非晶薄膜中超快载流子动力学的飞秒分辨反射光谱研究

利用飞秒时间分辨抽运-探测反射光谱技术研究了室温下Ge2Sb2Te5非晶薄膜中载流子超快动力学及其激发能量密度依赖性.发现光激发后0.5ps时间内,反射变化率降到最小值,然后开始迅速增加,在几个皮秒时间内达到大于初始反射率的新的最大值.反射率的减小量、增加量和增加速率均随激发能量密度的增大而增加.利用高密度等离子体的Auger复合及其感应的晶格加热模型较好地定量解释了反射率由最小到最大的快速变化过程,表明高密度等离子体的Auger复合加热导致的热效应可能是超快激光诱导相变发生的主要机制.