铜的价态光电子能谱和X光引发的Auger谱分析

在合金或化合物中，准确地确定铜的价态（Ｃｕ０、Ｃｕ＋、Ｃｕ２＋和Ｃｕ３＋）是很复杂的。采用Ｘ光电子能谱学中的峰位确认法、伴线指纹法、Ａｕｇｅｒ参数法是十分方便的。本文报道了有关，ＣｕＬ３Ｍ４５Ｍ４５电子结合能（ｅＶ）和动能（ｅＶ）标量的变化，讨论了标准样品金属铜、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＣｌ、ＣｕＯ、ＣｕＣｌ２及超导样品ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中铜的价态简捷鉴别法。

金刚石单晶生长界面Auger电子能谱分析

本文用Auger电子能谱技术分别对金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的Auger谱精细结构、金刚石单晶附近及其表面的Auger谱精细结构进行了分析。Auger谱分析表明,金刚石晶体外的碳的Auger谱与石墨的类似,金刚石单晶上的碳的Auger谱与石墨的主跃迁峰能量相差约3.7 eV,与金刚石单晶Auger谱形相同,介于两者之间的Auger谱反映出碳原子的电子杂化态介于石墨与金刚石单晶之间。结果表明高温高压条件下石墨中碳原子经过“金属催化剂层”才能将碳原子的电子构形从SP2π态改变成SP3态,碳原子从而以金刚石四面体结构沉积到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成的。

Auger电子能谱分析方法及其在2.25Cr-1Mo钢回火脆性中的应用

介绍了Auger电子能谱(AES)分析方法、分析原理和试验过程,并对主要试验参数进行了讨论。同时,基于AES分析方法,对加氢反应器用2.25Cr-1Mo钢及其在步冷脆化和修正步冷脆化状态下进行AES分析试验。结果表明,2.25Cr-1Mo钢回火脆化机理是杂质原子P在晶界偏析所致,材料加速脆化的机理是材料中杂质原子P在晶界上不断偏析所致。

高温高压条件下金刚石单晶生长界面Auger电子能谱研究

用A uger电子能谱技术分别进行金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的精细A uger谱分析、金刚石单晶附近及其表面的A uger谱精细结构分析。研究结果表明,在高温高压有催化剂参与下金刚石单晶生长是双界面生长,存在两个主界面D—M及M—C。高温高压条件下石墨中碳原子经过“过渡层”及“金属催化剂层”才能将碳原子的电子构形从SP2π态改变成SP3态,从而以碳原子的金刚石四面体结构长到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成的。

材料分析中合理使用各种试验研究方法(续)

3．2．2Auger电子能谱及应用 3．2．2．1Auger电子能谱 当高能电子束或X射线激发样品时，原子内壳层上电子因电离而留下一个空位，由较外层电子向这一能级跃迁使原子释放能量的过程，发射特征X射线；另一种弛豫过程是：A壳层电子电离产生空位，B壳层电子向A壳层的空位跃迁，导致C壳层的电子发射，这就ABC Auger电子发射。

微量元素锡、砷在U_(74)重轨钢中的晶界偏聚

用Auger谱仪和X射线面扫描探测了U_(74)重轨钢在加热到1200℃奥氏体化以后再以不同冷速进行冷却的条件下微量元素Sn,As的偏聚情况。实验结果表明:在缓慢冷却的条件下,U_(74)轨钢中会发生Sn,As的晶界偏聚。600℃长时间等温可加剧钢中As元素的偏聚,但不加剧Sn的偏聚。