B(CH_3O)_3等离子辅助渗硼的研究

研究了新型渗硼剂Ｂ（ＣＨ３Ｏ）３的分解离化行为及渗硼工艺。结果表明：在室温条件下Ｂ（ＣＨ３Ｏ）３主要分解离化为Ｂ（ＣＨ３Ｏ）Ｈ＋、Ｂ（ＣＨ３Ｏ）ＯＨ＋和Ｂ（ＣＨ３Ｏ）２＋；

掺杂B(CH)_3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究

研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B（CH3）3（TMB）的P型氢化非晶硅碳（a-SiC：H）窗口材料性能的影响，获得了电导率达到8．97×10^-7／cm、光学带隙大于2．0eV的P型a-SiC：H窗口材料。研究了单结电池P型a-SiC：H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系。结果表明，随着衬底温度的提高，需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙B和电池的短路电流密度Jsc；沉积系统中，P型窗口层的温度比本征吸收层高25-50℃时，电池性能较好。研究了3种类型的P／I缓冲层对单结电池性能的影响。大量实验表明，不掺B的C缓冲层适合于低温和小CH4流量情况使用；掺B的C缓冲层＋不掺B的C缓冲层适合于高温和大CH4流量情况使用；采用不掺B的C缓冲层的电池光稳定性高于采用B、C渐变缓冲层的电池。研究还表明，采用新型TMB作为P型窗口层掺杂剂的电池比传统采用B2H6作为P型窗口层掺杂剂的电池转换效率提高约1.0％。

P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究

以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。

P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用

本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.