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HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究 被引量:1
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作者 方应翠 张晓东 +3 位作者 辜学茂 王小明 何也熙 李成富 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期223-225,共3页
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现... 通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现在成膜过程中B膜开始吸O ;等离子体轰击时 ,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2 O3 形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。 展开更多
关键词 第1壁 吸氧性 HT-7超导托卡马克 硼/碳膜 氧杂质
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