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HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究
被引量:
1
1
作者
方应翠
张晓东
+3 位作者
辜学茂
王小明
何也熙
李成富
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期223-225,共3页
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现...
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现在成膜过程中B膜开始吸O ;等离子体轰击时 ,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2 O3 形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。
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关键词
第1壁
吸氧性
HT-7超导托卡马克
硼/碳膜
氧杂质
下载PDF
职称材料
题名
HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究
被引量:
1
1
作者
方应翠
张晓东
辜学茂
王小明
何也熙
李成富
机构
合肥工业大学机械与汽车学院
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期223-225,共3页
文摘
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现在成膜过程中B膜开始吸O ;等离子体轰击时 ,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2 O3 形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。
关键词
第1壁
吸氧性
HT-7超导托卡马克
硼/碳膜
氧杂质
Keywords
b/c film
,
the first wall
,
oxygen gettering properties
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
TL621 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究
方应翠
张晓东
辜学茂
王小明
何也熙
李成富
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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