卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺的现状及发展趋势

首先,重点介绍了目前卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺的研究进展,概述了国内外相关研究主要的方法、结果与发现;其次,分析了卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺研究的现状,归纳出目前国内外各种方法的优劣性及适用性;最后,对我国卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺研究进行了展望,提出我国该工艺研究的发展趋势与方向,今后我国应加强吸附法的研究,分子设计并合成具有特定功能的原子或基团的树脂吸附剂,用于卤硅烷体系除B、P杂质,最终形成流程简单、能耗较低、除杂效果稳定的树脂吸附工艺。

降低合成氯硅烷中B、P杂质含量的工艺研究

采用流化床的方法,生产出了氯硅烷(三氯氢硅和四氯化硅的混合物)。氯硅烷是制备多晶硅的重要原料,其中合成氯硅烷中B、P杂质含量是影响多晶硅质量的重要因素,严重影响多晶硅的质量指标。通过采用icp-ms对合成物料中B、P杂质含量的测试。结果表明,当合成氯硅烷通过吸附装置后,B、P杂质含量能得到大范围的下降,并且在通过吸附柱的氯硅烷流量在1.2m3/h、压力为0.35MPa时B、P杂质含量趋于稳定。