B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象

离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。

TD手机将推动CMMB实现千万级出货量,山寨市场抬头

因为资费政策明确和搭载ID手机市场，2010年CMMB将迎来千万级的出货量。除了占据大头的TD手机外，山寨手机、PND和PMP等其他应用也将为CMMB注入动力。

郎悦我心 幸福我家 钱江郎悦QJ125T-9B

郎悦QJ125T-9B是钱江摩托最近推出的一款全新的踏板车,它不仅有着时尚、动感的外形,更集强劲的动力性、出众的安全性和贴心的人性化设计于一身,吸引了很多摩托车爱好者的关注。钱江摩托为郎悦QJ125T-9B注入了诸多的时尚元素,当您第一眼瞥见它时,

B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．

HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法

报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.

B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）

室温下将130 keV,5×1014cm 2B离子和55 keV,1×1016cm 2H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷,并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示,在顺次注入的样品中,B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。