Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3系陶瓷中的B空位研究

以正电子湮没技术(PAT)研究Ba(Sn_(1-x)Sbx)O_3系陶瓷中的晶格空位,发现空位浓度在Sb 固溶限以下与x 值呈线性关系.由超高压高温合成法证明Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3的晶胞参数α_0因Sb 挥发形成V_B 而增大.PAT 测得较小的τd 值,证明占B 位的Sb 在高温下迁移形成了B 空位,指出存在Sn^(4+)空位引起空位电导补偿.

氧空位和B离子共掺杂TiO_2催化性能的研究

采用密度泛函理论的第一性原理方法,对氧空位V_O和B离子单掺杂、共掺杂锐钛矿相TiO_2的电荷布居、态密度、可见光吸收光谱等问题进行了对比分析。结果表明:氧空位V_O与掺杂B离子协同作用,使更多的Ti原子失电子能力下降,Ti^(4+)减少而更多低价位的Ti^(3+)出现,有利于减少光生电子-空穴的复合。掺杂形成n型简并半导体,根据对吸收光谱的分析,共掺杂能够提高波长较长(570nm,2.11eV)的可见光吸收效率。因此,共掺杂不仅能提高可见光吸收效率,而且能减弱光生电子-空穴的复合,更有利于提高晶体光催化性能。

La0.75Sr0.25Mn1-xO3钙钛矿材料的相结构研究

本文利用溶胶凝胶法，成功制备了名义成分为La0.75Sr0.25Mn1-xO3（x=0．00，0．03，0．05，0．08，0．10，0．13，0．15，0．17）的含有B位空位的钙钛矿样品，最高煅烧温度为1073K．利用软件X Pert High Score Plus对样品的XRD图谱进行分析，当x≤0．08的样品为钙钛矿单相，其余样品含有次相镧的氧化物，说明B位空位存在最大值，0．08〈zm〈0．10；磁性测量结果说明B位空位含量的增加一方面增加了Mnt＋含量，另外一方面阻碍了Mn3＋-O2-Mn4＋双交换作用．