B靶溅射功率对FeGaB薄膜磁性能的影响

采用磁控共溅射法制备FeGaB合金薄膜,FeGa靶的溅射功率为40 W,通过调整B靶的溅射功率来调控薄膜的成分。结果表明,制备出的FeGaB薄膜厚度均匀,呈非晶态,具有较小的矫顽力和较大的磁致伸缩系数。当B靶的射频溅射功率大于30 W时,薄膜的矫顽力H_(c)降低到2.1 Oe左右。B靶溅射功率增大时,B元素的含量增大,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数先增大后减小。当溅射功率为40 W时、B元素含量为11.9%,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数达到64 ppm。