高B_4C相含量碳化硼粉制备及其气流粉碎研究

用石墨电阻炉碳热还原法制得了B4C相含量大于 95 %的优质碳化硼粉 ,经气流粉碎 3～ 6次 ,粉末颗粒平均粒径降至 1μm以下。研究表明 :气流粉碎过程既有强的体积粉碎 ,又有强的表面粉碎 ,粉碎效率高 ;随着粉碎次数的增多、粉末粒度和粒度组成的改变 ,体积粉碎作用减弱 ,最后表面粉碎成为主要因素 ,粉碎效率降低。

高B_4C相含量极细碳化硼粉的制取

用碳管炉硼酐碳热还原法制得了碳化硼粉,其化学成分和杂质含量符合中国国家标准和美国国家标准对一、二级核级粉末的要求,其B_4C含量远高于按上述标准中化学成分折算的值。化学成分折算法经X射线内标法验证,证明是可靠的。两种方法获得的结果很接近。上述原始粗B_4C粉经振动球磨和酸洗后获得了成分符合技术标准的微米级B_4C细粉。实验证明:振动球磨的效率较滚动球磨高数倍甚至数十倍;振动球磨的平衡粒度和达到平衡粒度所需的时间也远低于普通球磨相应的值。

由聚碳硅烷生成纳米SiC颗粒增强B_4C基复相陶瓷的结构与性能

制备了由聚碳硅烷（PCS）为先驱体裂解形成的纳米SiC增强的B4C基复合材料,并与直接球磨混合法制备的纳米SiC增强的B4C基复合材料进行了对比研究.实验结果表明,先驱体法制备的复合材料形成一种复杂的晶内/晶间结构;B4C内部的纳米SiC和Al2O3内部的少量纳米SiC、晶界处的层片状Sic、B4C晶粒内部的SiC亚晶界结构.材料的断裂方式以穿晶断裂为主,形成晶内裂纹扩展路径,增强了材料的韧性.采用PCS为先驱体工艺制备高性能的纳米复相陶瓷,其组织均匀性、致密度和力学性能均优于直接机械混合制备的纳米复合材料.

以聚碳硅烷包覆B_4C为原料温压-烧结原位制备SiC/B_4C复相陶瓷

以聚碳硅烷（PCS）包覆B4C粉为原料,分别在300℃、50 MPa下温压成型和800 MPa下冷等静压成型,而后将压坯置于氩气气氛保护下在1 200℃保温2 h,再在1 800-2 000℃下真空烧结3 h,原位反应制备出SiC/B4C复相陶瓷;研究了它的相对密度、物相组成和显微结构。结果表明：温压工艺比冷等静压工艺能得到更高密度的复相陶瓷;含15%SiC的温压压坯在烧结3 h后得到复相陶瓷的相对密度大于93%;复相陶瓷由B4C和SiC相组成,SiC相均匀分布在B4C颗粒界面上。

B_4C/TiB_2复相陶瓷材料的研究进展

综述了B_4C/TiB_2复相陶瓷的烧结工艺,以及原料粉体粒径和第三组元对复相陶瓷性能的研究进展。对比了热压烧结、放电等离子烧结和无压反应烧结B_4C/TiB_2复相陶瓷相对密度和力学性能的差别,比较了三种烧结工艺的优缺点;总结了多种金属单质、金属氧化物、碳、过渡金属碳化物等第三组元,以及粉体粒径对复相陶瓷烧结工艺性等性能的影响规律;展望了B_4C/TiB_2复相陶瓷制备技术的发展趋势。

Al_2O_3/B_4C复相陶瓷制备及其韧化机理的研究进展

Al_2O_3/B_4C作为一种优良的结构部件,在工业及国防领域都具有广阔的应用前景。简要论述了Al_2O_3/B_4C复相陶瓷材料的几种常用制备方法,如自蔓燃高温合成、无压烧结法、热压烧结法、机械合金化法等;重点综述了Al_2O_3/B_4C复相陶瓷材料的几种增韧方式及增韧机理,并简述了Al_2O_3/B_4C复相陶瓷材料的应用;最后,指出了Al_2O_3/B_4C复相陶瓷材料的研究不足之处以及下一步的研究动向。