Optimization of High Power 1.55-μm Single Lateral Mode Fabry-Perot Ridge Waveguide Lasers

Optimization of the high power single-lateral-mode double-trench ridge waveguide semiconductor laser based on InGaAsP/InP quantum-well heterostructures with a separate confinement layer is reported. Two different waveguide structures of Fabry-Perot lasers emitting at a wavelength of 1.55 μm are fabricated. The influence of an effective lateral refractive index step on the maximum output power is investigated. A cw single mode output power of 165mW is obtained for a 1-mm-long uncoated laser.

低阈值单横模852nm半导体激光器

基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.

InGaAsP/InP-BC激光器稳态特性的数值分析

本文通过采用有限差分法对描述缓变波导半导体激光器稳态特性方程组的数值分析,对InGaAsP/InP掩埋新月形激光器的阈值、波导、侧向模式进行了理论求解。结果表明,它具有良好的基横模工作特性和稳定的光场分布,与实验相符。

组合光栅对半导体激光器的侧向模式调控作用

设计并制作了一种新型含有组合光栅结构的分布式布拉格反射(CDBR)半导体激光器。通过引入组合光栅结构,对分布式布拉格反射(DBR)激光器的高阶侧向模式进行调控,提升了高阶侧向模式的损耗,最终优化了远场光斑图案。实验制得的器件腔长为2 mm,脊波导宽度为40μm,高阶光栅周期为7μm,占空比为0.6。当注入电流为1.0 A时,组合光栅起到明显作用,远场光斑图案从DBR-激光二极管(LD)的多瓣优化到CDBR-LD的单瓣。CDBR-LD在电流为1.25 A时的饱和输出功率约为433 mW,斜率效率为0.337 W·A^(-1),注入电流为0.95 A时的光谱半峰全宽(FWHM)约为0.61 nm。