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一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究 被引量：1
1
作者 王燕 于锡玲 +1 位作者 孙大亮 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期149-153,共5页
本文实时测定了 312 .16K时一水甲酸锂晶体 (LFM ) (0 10 )和 (0 2 1)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型 ,计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺... 本文实时测定了 312 .16K时一水甲酸锂晶体 (LFM ) (0 10 )和 (0 2 1)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型 ,计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。 展开更多
关键词 一水甲酸锂晶体 bcf表面扩散模型 非线性光学晶体 晶体生长动力学 生长机理 激活能
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