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Simulation study of BESⅢwith stitched CMOS pixel detector using AcTs
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作者 Yi Liu Xiao‑Cong Ai +17 位作者 Guang‑Yan Xiao Ya‑Xuan Li Ling‑Hui Wu Liang‑Liang Wang Jia‑Ning Dong Ming‑Yi Dong Qing‑Lin Geng Min Luo Yan Niu An‑Qing Wang Chen‑Xu Wang Meng Wang Lei Zhang Liang Zhang Rui‑Kai Zhang Yao Zhang Ming‑Gang Zhao Yang Zhou 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第12期264-270,共7页
The reconstruction of the tracks of charged particles with high precision is crucial for HEP experiments to achieve their physics goals.The BESⅢdrift chamber,which is used as the tracking detector of the BESⅢexperim... The reconstruction of the tracks of charged particles with high precision is crucial for HEP experiments to achieve their physics goals.The BESⅢdrift chamber,which is used as the tracking detector of the BESⅢexperiment,has suffered from aging effects resulting in degraded tracking performance after operation for approximately 15 years.To preserve and enhance the tracking performance of BESⅢ,one of the proposals is to add one layer of a thin cylindrical CMOS pixel sensor based on state-of-the-art stitching technology between the beam pipe and the drift chamber.The improvement in the tracking performance of BESⅢwith such an additional pixel detector compared to that with only the existing drift chamber was studied using the modern common tracking software Acts,which provides a set of detector-agnostic and highly performant tracking algorithms that have demonstrated promising performance for a few high-energy physics and nuclear physics experiments. 展开更多
关键词 besⅢtracking detector CMOS pixel sensor Track reconstruction Common tracking software
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一个分布式的网络PC/Linux系统及其在BES和BES-Ⅱ粲物理研究中的应用 被引量:1
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作者 荣刚 何康林 +3 位作者 张少强 张达华 白景芝 薛生田 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期321-325,共5页
简要介绍了一个基于网络的小型 PC- PARM和一个分布式的 PC/ L inux机集群系统的组成 ,及其在 BES/ BES- 粲物理研究中的应用。利用此系统对 BES- 计划进行的ψ″(3770 ) D物理做了全面的蒙特卡罗模拟研究。利用 BES- 获取的 J/ψ数... 简要介绍了一个基于网络的小型 PC- PARM和一个分布式的 PC/ L inux机集群系统的组成 ,及其在 BES/ BES- 粲物理研究中的应用。利用此系统对 BES- 计划进行的ψ″(3770 ) D物理做了全面的蒙特卡罗模拟研究。利用 BES- 获取的 J/ψ数据 ,对此系统工作的稳定性、可靠性和对数据重建的可行性及重建能力进行了研究 ,其结果表明 ,利用廉价的 PC/ Linux机集群进行 BES/ BES- 数据的离线处理和物理分析完全可行 ,与 HP/ UNIX工作站集群对比 ,PC/ L 展开更多
关键词 Linux PC微机系统 NFS PC-FARM bes bes- 粲介子物理研究 高能物理实验 数据处置 计算机应用
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π介子在BESⅢ探测器中的穿透效应
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作者 夏宇 曾云 +23 位作者 马秋梅 马想 王大勇 邓子艳 尤郑昀 毛泽普 文硕频 王喆 刘怀民 汤睿 李卫东 张长春 邱进发 何苗 张学尧 张晓梅 张瑶 郑直 冒亚军 俞国威 袁野 黄性涛 蒋林立 臧石磊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页
用模拟软件GEANT 4对BESⅢ探测器中π介子的穿透效应进行了模拟,给出了不同动量的π介子在μ探测器中穿透效率。对π介子与μ轻子在μ探测器中的行为做了对比研究,从而为BESⅢ中π/μ鉴别提供帮助。
关键词 besⅢ探测器 GEANT4 穿透效应 粒子鉴别
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FY-3C MWHS-Ⅱ辐射率在RMAPS-CA中的同化
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作者 马玉芬 琚陈相 +2 位作者 艾力亚尔·艾海提 刘军建 买买提艾力·买买提依明 《沙漠与绿洲气象》 2023年第5期28-37,共10页
中亚地区常规气象观测站点稀疏,同化极轨卫星FY-3C上的Ⅱ型微波湿度探测器(MWHS-Ⅱ)辐射率资料可有效减小该地区数值预报初始场的不确定性。本研究首次在中亚快速更新多尺度资料分析和预报系统RMAPS-CA中同化了FY-3C/MWHS-Ⅱ辐射率,评... 中亚地区常规气象观测站点稀疏,同化极轨卫星FY-3C上的Ⅱ型微波湿度探测器(MWHS-Ⅱ)辐射率资料可有效减小该地区数值预报初始场的不确定性。本研究首次在中亚快速更新多尺度资料分析和预报系统RMAPS-CA中同化了FY-3C/MWHS-Ⅱ辐射率,评估了其同化效果。结果表明:(1)单个时次冷启动的同化时间窗口内,仅有56%的辐射率资料通过了质量控制并被RMAPS-CA同化。(2)偏差订正整体减小了各水汽通道的背景场辐射亮温偏差,最大减幅出现在通道14,达0.5 K。通道14偏差订正前的观测辐射亮温和背景场辐射亮温间存在较大偏差,是其同化应用中需要特别注意的。(3)FY-3C/MWHS-Ⅱ辐射率同化整体提高了RMAPS-CA系统对高空温度、位势高度、高空风速等的中短期预报准确率。同时,使得2 m温度和10 m风速的预报准确率预报均方根误差分别平均减小了0.2 K和2 m/s。其同化有效降低了小雨预报的漏报率和空报率,小雨预报的TS评分提升了16%。降低了中雨和大雨预报的漏报率,3个量级降水预报的BIAS评分分别提升了18%、38%和36%。 展开更多
关键词 FY-3C卫星 湿度传感器MWHS- 质量控制 偏差订正 同化效果评估
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Strain-induced the dark current characteristics in InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice for mid-wave detector 被引量:2
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作者 H.J.Lee S.Y.Ko +1 位作者 Y.H.Kim J.Nah 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2020年第6期35-38,共4页
Type-Ⅱsuperlattice(T2SL)materials are the key element for infrared(IR)detectors.However,it is well known that the characteristics of the detectors with the T2SL layer are greatly affected by the strain developed duri... Type-Ⅱsuperlattice(T2SL)materials are the key element for infrared(IR)detectors.However,it is well known that the characteristics of the detectors with the T2SL layer are greatly affected by the strain developed during the growth process,which determines the performance of IR detectors.Therefore,great efforts have been made to properly control the strain effect and develop relevant analysis methods to evaluate the strain-induced dark current characteristics.In this work,we report the strain-induced dark current characteristics in InAs/GaSb T2SL MWIR photodetector.The overall strain of InAs/GaSb T2SL layer was analyzed by both high-resolution X-ray diffraction(HRXRD)and the dark current measured from the absorber layer at the elevated temperatures(≥110 K),where the major leakage current component is originated from the reduced minority carrier lifetime in the absorber layer.Our findings indicate that minority carrier lifetime increases as the tensile strain on the InAs/GaSb T2SL is more compensated by the compressive strain through‘InSb-like’interface,which reduces the dark current density of the device.Specifically,tensile strain compensated devices exhibited the dark current density of less than 2×10^-5 A/cm^2 at 120 K,which is more than one order of magnitude lower value compared to that of the device without tensile strain relaxation. 展开更多
关键词 mid-wave detector InAs/GaSb typesuper lattice dark current
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器背减薄技术研究
6
作者 王晓乾 胡雨农 +3 位作者 游聪娅 李景峰 李海燕 刘铭 《红外》 CAS 2023年第10期15-20,共6页
针对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器开发高质量背减薄工艺,获得了高质量衬底表面,改善了超晶格红外探测器组件的成像品质。采用机械抛光和机械化学抛光相结合的工艺减薄衬底,其中机械抛光削减衬底大部分厚度,然后通过机械化学抛光去除... 针对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器开发高质量背减薄工艺,获得了高质量衬底表面,改善了超晶格红外探测器组件的成像品质。采用机械抛光和机械化学抛光相结合的工艺减薄衬底,其中机械抛光削减衬底大部分厚度,然后通过机械化学抛光去除机械损伤。机械化学抛光过程中,在压力、转速等不变的情况下,主要研究机械化学抛光液的pH值对衬底表面质量的影响。实验结果表明,当机械化学抛光液的pH值为9.4时,获得了高质量、低损伤的芯片衬底表面,并实现了最佳的探测器组件成像效果。 展开更多
关键词 InAs/GaSb类超晶格 红外探测器 背减薄 PH值
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A New Particle Observed at BESII
7
《Bulletin of the Chinese Academy of Sciences》 2006年第1期9-10,共2页
An international research consortium announced on January 6 the observation of a resonant state at the upgraded Beijing Spectrometer (BESⅡ). The discovery,
关键词 分光计 bes 粒子 北京 正电子对撞 物理学
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Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体生长及器件研究进展
8
作者 杨桂芝 俞鹏飞 +1 位作者 张嘉伟 介万奇 《铸造技术》 CAS 2023年第12期1075-1093,共19页
Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大... Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大、光吸收系数好等特点,可用于室温辐射探测器、太阳能电池、法拉第磁性器件等领域。本文介绍了Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体的结构和物理性质,结合生长方法综述了晶体生长的研究进展,分析讨论了器件的主要应用,并展望了该类晶体材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 -Ⅵ族多元化合物 半导体 晶体生长 室温辐射探测器 太阳能电池
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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术 被引量:7
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作者 陈建新 林春 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期786-790,共5页
由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格... 由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3-30μm的宽广范围。由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的精度控制材料生长,因此截止波长由周期决定这一特性使得Ⅱ类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面独具优势。Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件工艺的成熟性使得InAs/GaSb正成为一种很有竞争力的红外探测新技术。简要介绍了新型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术,包括该技术的基本原理、材料生长、器件制备及其发展方向。 展开更多
关键词 类超晶格 红外探测器 半导体
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阈探测器法测量Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱 被引量:5
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作者 王松林 王琦 +5 位作者 徐小三 拓飞 兰长林 李永明 位金锋 孔祥忠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期16-21,共6页
选用多种活化箔片作为阈探测器,测量了Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。在待测中子场点对活化箔片进行辐照后,测量各箔片生成放射性核的γ放射性,计算出各箔片的实验比反应率。运用SAND-Ⅱ迭代方法,求解出Am-Be中子源屏蔽辐照腔内... 选用多种活化箔片作为阈探测器,测量了Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。在待测中子场点对活化箔片进行辐照后,测量各箔片生成放射性核的γ放射性,计算出各箔片的实验比反应率。运用SAND-Ⅱ迭代方法,求解出Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。详细分析了初始谱、能群划分、能群截面等对解谱准确度的影响。 展开更多
关键词 Am-be中子源 阈探测器 SAND-
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Ⅱ类超晶格红外探测器的机理、现状与前景 被引量:11
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作者 曾戈虹 史衍丽 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期311-314,共4页
近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ... 近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ类超晶格材料、器件的难点与前景进行分析。 展开更多
关键词 类超晶格 Ⅰ类超晶格 碲镉汞 红外探测器
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CFBR-Ⅱ堆瞬发临界爆发脉冲波形参数测量 被引量:5
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作者 刘晓波 范晓强 +1 位作者 蒋勇 杨成德 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z2期30-34,共5页
波形测量是爆发脉冲实验研究中最关键的一项参数测量工作。对CFBR-Ⅱ堆瞬发临界时爆发脉冲的动态全过程(功率范围:100W~1000MW)进行了实时测量,进而获得超瞬发反应性ρ0、2kW时刻t2kW、峰功率、半高宽、峰时刻、峰前裂变数等脉冲特征... 波形测量是爆发脉冲实验研究中最关键的一项参数测量工作。对CFBR-Ⅱ堆瞬发临界时爆发脉冲的动态全过程(功率范围:100W~1000MW)进行了实时测量,进而获得超瞬发反应性ρ0、2kW时刻t2kW、峰功率、半高宽、峰时刻、峰前裂变数等脉冲特征参数。采用6只灵敏度不同的快响应闪烁探测器、1只硼电离室结合并行多通道高速数据采集设备,实现了CFBR-Ⅱ堆爆发脉冲时的脉冲全波形测量。 展开更多
关键词 CFBR- 波形测量 闪烁探测器 超瞬发临界
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基于ARM+uC/OS-Ⅱ的超声波水煤浆粒度检测仪的设计 被引量:8
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作者 王卫东 徐志强 王振 《工矿自动化》 北大核心 2008年第1期41-44,共4页
根据超声波在水煤浆中传播的声学特性的变化与水煤浆粒度之间的函数关系,基于低功耗32位嵌入式微处理器LPC2210与实时操作系统uC/OS-Ⅱ,文章提出了一种智能型水煤浆粒度快速检测仪的设计方案,并在测时电路里运用了锁相环技术,提高了超... 根据超声波在水煤浆中传播的声学特性的变化与水煤浆粒度之间的函数关系,基于低功耗32位嵌入式微处理器LPC2210与实时操作系统uC/OS-Ⅱ,文章提出了一种智能型水煤浆粒度快速检测仪的设计方案,并在测时电路里运用了锁相环技术,提高了超声传播时间的测量精确度。实际运行证明,该检测仪能满足实际测定水煤浆粒度的要求。 展开更多
关键词 水煤浆 粒度检测 超声波检测仪 ARM uC/OS-
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术研究进展 被引量:3
14
作者 刘武 陈建新 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期659-664,共6页
InAs/GaSb II类超晶格是一项新型的红外焦平面技术,其响应波长可以覆盖3-30μm的光谱范围,具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,是最有希望的碲镉汞的替代技术。1987年,人们发现了其在红外探测领域的应用价值后,II类超晶格材料... InAs/GaSb II类超晶格是一项新型的红外焦平面技术,其响应波长可以覆盖3-30μm的光谱范围,具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,是最有希望的碲镉汞的替代技术。1987年,人们发现了其在红外探测领域的应用价值后,II类超晶格材料和器件的研究获得了极大的关注,特别是近年来II类超晶格探测器的发展在国际上极为迅速,美欧等一些技术先进的国家已经获得了大规模、高性能的超晶格焦平面探测器并实现了清晰的实验室红外热成像。本文简要介绍该项新型红外探测技术的基本原理、技术特点、技术关键及其在国内外的发展趋势。 展开更多
关键词 II类超晶格(type II superlattice) 红外探测器 焦平面探测器
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InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器研究现状 被引量:5
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作者 史衍丽 余连杰 田亚芳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第11期621-626,共6页
InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,... InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,旨在尽快发展属于我国的第三代InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器技术。 展开更多
关键词 InAs/GaSb:类超晶格 红外探测器 第三代焦平面
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北京谱仪-Ⅱ主漂移室干扰噪声的研究 被引量:2
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作者 王运永 王少敏 +17 位作者 毛慧顺 刘荣光 宋晓非 李金 李卫国 李小南 李如柏 吕军光 张健 张德红 金艳 杨杰 黄俊东 柯尊建 高树琦 谢佩佩 顾建辉 颜洁 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期201-205,共5页
研究了北京谱仪-Ⅱ主漂移室干扰噪声(pick-up噪声)的主要表现形式,分析了噪声的来源,提出了解决办法。
关键词 北京谱仪 主漂移室 pick-up噪声 干扰噪声
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InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展 被引量:1
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作者 殷景志 高福斌 +4 位作者 汤艳娜 张天舒 刘驰 王一丁 杜国同 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期699-701,共3页
InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3~30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.
关键词 INAS/GASB 型超晶格 红外探测器
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Determination of the number ofψ(3686)events taken at BESⅢ
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作者 M.Ablikim M.N.Achasov +660 位作者 P.Adlarson O.Afedulidis X.C.Ai R.Aliberti A.Amoroso Q.An Y.Bai O.Bakina I.Balossino Y.Ban H.-R.Bao V.Batozskaya K.Begzsuren N.Berger M.Berlowski M.Bertani D.Bettoni F.Bianchi E.Bianco A.Bortone I.Boyko R.A.Briere A.Brueggemann H.Cai X.Cai A.Calcaterra G.F.Cao N.Cao S.A.Cetin J.F.Chang G.R.Che G.Chelkov C.Chen C.H.Chen Chao Chen G.Chen H.S.Chen H.Y.Chen M.L.Chen S.J.Chen S.L.Chen S.M.Chen T.Chen X.R.Chen X.T.Chen Y.B.Chen Y.Q.Chen Z.J.Chen Z.Y.Chen S.K.Choi G.Cibinetto F.Cossio J.J.Cui H.L.Dai J.P.Dai A.Dbeyssi R.E.de Boer D.Dedovich C.Q.Deng Z.Y.Deng A.Denig I.Denysenko M.Destefanis F.De Mori B.Ding X.X.Ding Y.Ding Y.Ding J.Dong L.Y.Dong M.Y.Dong X.Dong M.C.Du S.X.Du Y.Y.Duan Z.H.Duan P.Egorov Y.H.Fan J.Fang J.Fang S.S.Fang W.X.Fang Y.Fang Y.Q.Fang R.Farinelli L.Fava F.Feldbauer G.Felici C.Q.Feng J.H.Feng Y.T.Feng M.Fritsch C.D.Fu J.L.Fu Y.W.Fu H.Gao X.B.Gao Y.N.Gao Yang Gao S.Garbolino I.Garzia L.Ge P.T.Ge Z.W.Ge C.Geng E.M.Gersabeck A.Gilman K.Goetzen L.Gong W.X.Gong W.Gradl S.Gramigna M.Greco M.H.Gu Y.T.Gu C.Y.Guan Z.L.Guan A.Q.Guo L.B.Guo M.J.Guo R.P.Guo Y.P.Guo A.Guskov J.Gutierrez K.L.Han T.T.Han F.Hanisch X.Q.Hao F.A.Harris K.K.He K.L.He F.H.Heinsius C.H.Heinz Y.K.Heng C.Herold T.Holtmann P.C.Hong G.Y.Hou X.T.Hou Y.R.Hou Z.L.Hou B.Y.Hu H.M.Hu J.F.Hu S.L.Hu T.Hu Y.Hu G.S.Huang K.X.Huang L.Q.Huang X.T.Huang Y.P.Huang T.Hussain F.Hölzken N.Hüsken N.in der Wiesche J.Jackson S.Janchiv J.H.Jeong Q.Ji Q.P.Ji W.Ji X.B.Ji X.L.Ji Y.Y.Ji X.Q.Jia Z.K.Jia D.Jiang H.B.Jiang P.C.Jiang S.S.Jiang T.J.Jiang X.S.Jiang Y.Jiang J.B.Jiao J.K.Jiao Z.Jiao S.Jin Y.Jin M.Q.Jing X.M.Jing T.Johansson S.Kabana N.Kalantar-Nayestanaki X.L.Kang X.S.Kang M.Kavatsyuk B.C.Ke V.Khachatryan A.Khoukaz R.Kiuchi O.B.Kolcu B.Kopf M.Kuessner X.Kui N.Kumar A.Kupsc W.Kühn J.J.Lane P.Larin L.Lavezzi T.T.Lei Z.H.Lei M.Lellmann T.Lenz C.Li C.Li C.H.Li Cheng Li D.M.Li F.Li G.Li H.B.Li H.J.Li H.N.Li Hui Li J.R.Li J.S.Li Ke Li L.J.Li L.K.Li Lei Li M.H.Li P.R.Li Q.M.Li Q.X.Li R.Li S.X.Li T.Li W.D.Li W.G.Li X.Li X.H.Li X.L.Li X.Z.Li Xiaoyu Li Y.G.Li Z.J.Li Z.X.Li Z.Y.Li C.Liang H.Liang H.Liang Y.F.Liang Y.T.Liang G.R.Liao L.Z.Liao Y.P.Liao J.Libby A.Limphirat C.C.Lin D.X.Lin T.Lin B.J.Liu B.X.Liu C.Liu C.X.Liu F.H.Liu Fang Liu Feng Liu G.M.Liu H.Liu H.B.Liu H.M.Liu Huanhuan Liu Huihui Liu J.B.Liu J.Y.Liu K.Liu K.Y.Liu Ke Liu L.Liu L.C.Liu Lu Liu M.H.Liu P.L.Liu Q.Liu S.B.Liu T.Liu W.K.Liu W.M.Liu X.Liu X.Liu Y.Liu Y.Liu Y.B.Liu Z.A.Liu Z.D.Liu Z.Q.Liu X.C.Lou F.X.Lu H.J.Lu J.G.Lu X.L.Lu Y.Lu Y.P.Lu Z.H.Lu C.L.Luo J.R.Luo M.X.Luo T.Luo X.L.Luo X.R.Lyu Y.F.Lyu F.C.Ma H.Ma H.L.Ma J.L.Ma L.L.Ma M.M.Ma Q.M.Ma R.Q.Ma T.Ma X.T.Ma X.Y.Ma Y.Ma Y.M.Ma F.E.Maas M.Maggiora S.Malde Y.J.Mao Z.P.Mao S.Marcello Z.X.Meng J.G.Messchendorp G.Mezzadri H.Miao T.J.Min R.E.Mitchell X.H.Mo B.Moses N.Yu.Muchnoi J.Muskalla Y.Nefedov F.Nerling L.S.Nie I.B.Nikolaev Z.Ning S.Nisar Q.L.Niu W.D.Niu Y.Niu S.L.Olsen Q.Ouyang S.Pacetti X.Pan Y.Pan A.Pathak P.Patteri Y.P.Pei M.Pelizaeus H.P.Peng Y.Y.Peng K.Peters J.L.Ping R.G.Ping S.Plura V.Prasad F.Z.Qi H.Qi H.R.Qi M.Qi T.Y.Qi S.Qian W.B.Qian C.F.Qiao X.K.Qiao J.J.Qin L.Q.Qin L.Y.Qin X.S.Qin Z.H.Qin J.F.Qiu Z.H.Qu C.F.Redmer K.J.Ren A.Rivetti M.Rolo G.Rong Ch.Rosner S.N.Ruan N.Salone A.Sarantsev Y.Schelhaas K.Schoenning M.Scodeggio K.Y.Shan W.Shan X.Y.Shan Z.J.Shang J.F.Shangguan L.G.Shao M.Shao C.P.Shen H.F.Shen W.H.Shen X.Y.Shen B.A.Shi H.Shi H.C.Shi J.L.Shi J.Y.Shi Q.Q.Shi S.Y.Shi X.Shi J.J.Song T.Z.Song W.M.Song Y.J.Song Y.X.Song S.Sosio S.Spataro F.Stieler Y.J.Su G.B.Sun G.X.Sun H.Sun H.K.Sun J.F.Sun K.Sun L.Sun S.S.Sun T.Sun W.Y.Sun Y.Sun Y.J.Sun Y.Z.Sun Z.Q.Sun Z.T.Sun C.J.Tang G.Y.Tang J.Tang M.Tang Y.A.Tang L.Y.Tao Q.T.Tao M.Tat J.X.Teng V.Thoren W.H.Tian Y.Tian Z.F.Tian I.Uman Y.Wan S.J.Wang B.Wang B.L.Wang Bo Wang D.Y.Wang F.Wang H.J.Wang J.J.Wang J.P.Wang K.Wang L.L.Wang M.Wang N.Y.Wang S.Wang S.Wang T.Wang T.J.Wang W.Wang W.Wang W.P.Wang X.Wang X.F.Wang X.J.Wang X.L.Wang X.N.Wang Y.Wang Y.D.Wang Y.F.Wang Y.L.Wang Y.N.Wang Y.Q.Wang Yaqian Wang Yi Wang Z.Wang Z.L.Wang Z.Y.Wang Ziyi Wang D.H.Wei F.Weidner S.P.Wen Y.R.Wen U.Wiedner G.Wilkinson M.Wolke L.Wollenberg C.Wu J.F.Wu L.H.Wu L.J.Wu X.Wu X.H.Wu Y.Wu Y.H.Wu Y.J.Wu Z.Wu L.Xia X.M.Xian B.H.Xiang T.Xiang D.Xiao G.Y.Xiao S.Y.Xiao Y.L.Xiao Z.J.Xiao C.Xie X.H.Xie Y.Xie Y.G.Xie Y.H.Xie Z.P.Xie T.Y.Xing C.F.Xu C.J.Xu G.F.Xu H.Y.Xu M.Xu Q.J.Xu Q.N.Xu W.Xu W.L.Xu X.P.Xu Y.C.Xu Z.P.Xu Z.S.Xu F.Yan L.Yan W.B.Yan W.C.Yan X.Q.Yan H.J.Yang H.L.Yang H.X.Yang Tao Yang Y.Yang Y.F.Yang Y.X.Yang Yifan Yang Z.W.Yang Z.P.Yao M.Ye M.H.Ye J.H.Yin Z.Y.You B.X.Yu C.X.Yu G.Yu J.S.Yu T.Yu X.D.Yu Y.C.Yu C.Z.Yuan J.Yuan J.Yuan L.Yuan S.C.Yuan Y.Yuan Z.Y.Yuan C.X.Yue A.A.Zafar F.R.Zeng S.H.Zeng X.Zeng Y.Zeng Y.J.Zeng Y.J.Zeng X.Y.Zhai Y.C.Zhai Y.H.Zhan A.Q.Zhang B.L.Zhang B.X.Zhang D.H.Zhang G.Y.Zhang H.Zhang H.Zhang H.C.Zhang H.H.Zhang H.H.Zhang H.Q.Zhang H.R.Zhang H.Y.Zhang J.Zhang J.Zhang J.J.Zhang J.L.Zhang J.Q.Zhang J.S.Zhang J.W.Zhang J.X.Zhang J.Y.Zhang J.Z.Zhang Jianyu Zhang L.M.Zhang Lei Zhang P.Zhang Q.Y.Zhang R.Y.Zhang Shuihan Zhang Shulei Zhang X.D.Zhang X.M.Zhang X.Y.Zhang Y.Zhang Y.T.Zhang Y.H.Zhang Y.M.Zhang Yan Zhang Yao Zhang Z.D.Zhang Z.H.Zhang Z.L.Zhang Z.Y.Zhang Z.Y.Zhang Z.Z.Zhang G.Zhao J.Y.Zhao J.Z.Zhao Lei Zhao Ling Zhao M.G.Zhao N.Zhao R.P.Zhao S.J.Zhao Y.B.Zhao Y.X.Zhao Z.G.Zhao A.Zhemchugov B.Zheng B.M.Zheng J.P.Zheng W.J.Zheng Y.H.Zheng B.Zhong X.Zhong H.Zhou J.Y.Zhou L.P.Zhou S.Zhou X.Zhou X.K.Zhou X.R.Zhou X.Y.Zhou Y.Z.Zhou J.Zhu K.Zhu K.J.Zhu K.S.Zhu L.Zhu L.X.Zhu S.H.Zhu S.Q.Zhu T.J.Zhu W.D.Zhu Y.C.Zhu Z.A.Zhu J.H.Zou J.Zu 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2024年第9期8-20,共13页
The number ofψ(3686)events collected by the BESⅢdetector during the 2021 run period is determined to be(2259.3±11.1)×10~6 by counting inclusiveψ(3686)hadronic events.The uncertainty is systematic and the ... The number ofψ(3686)events collected by the BESⅢdetector during the 2021 run period is determined to be(2259.3±11.1)×10~6 by counting inclusiveψ(3686)hadronic events.The uncertainty is systematic and the statistical uncertainty is negligible.Meanwhile,the numbers ofψ(3686)events collected during the 2009 and 2012run periods are updated to be(107.7±0.6)×10~6 and(345.4±2.6)×10~6,respectively.Both numbers are consistent with the previous measurements within one standard deviation.The total number ofψ(3686)events in the three data samples is(2712.4±14.3)×10~6. 展开更多
关键词 ψ(3686) inclusive process Hadronic events besdetector
原文传递
Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展 被引量:2
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作者 王忆锋 余连杰 钱明 《光电技术应用》 2011年第2期45-52,共8页
由Ⅲ-V族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著。带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面。这些特有的性质... 由Ⅲ-V族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著。带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面。这些特有的性质,例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合,使其成为一种很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料。通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料,介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题,例如基本概念、结构、性能优化、数值建模、电学性能等。 展开更多
关键词 类超晶格 红外探测器 甚长波红外
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分子束外延InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料 被引量:1
20
作者 邢伟荣 刘铭 +2 位作者 郭喜 周朋 周立庆 《红外》 CAS 2017年第12期17-20,共4页
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选,近年来被广泛研究,并取得快速发展。分子束外延能够精确控制材料界面与周期厚度,是超晶格材料生长的主流手段。利用分子束外延技术在GaSb... InAs/GaSb Ⅱ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选,近年来被广泛研究,并取得快速发展。分子束外延能够精确控制材料界面与周期厚度,是超晶格材料生长的主流手段。利用分子束外延技术在GaSb衬底上分别生长了中波、长波超晶格材料,并对所生长的超晶格材料的性能进行了全面表征,最后用制备的面阵器件验证了该材料的性能。 展开更多
关键词 INAS/GASB 类超晶格 分子束外延 红外探测器
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