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BESⅢ飞行时间电子学电荷测量电路的温度补偿
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作者 封常青 刘树彬 +1 位作者 王进红 安琪 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1088-1092,共5页
介绍了一种利用补偿二极管实现的,针对非门控积分电路的温度补偿方法,它已成功地应用于BESⅢ飞行时间电子学的电荷测量电路中。经测试,采用该补偿方案后,对于30℃-50℃范围内的温度变化,和200mV到5000mV的输入信号动态范围,电荷测量电... 介绍了一种利用补偿二极管实现的,针对非门控积分电路的温度补偿方法,它已成功地应用于BESⅢ飞行时间电子学的电荷测量电路中。经测试,采用该补偿方案后,对于30℃-50℃范围内的温度变化,和200mV到5000mV的输入信号动态范围,电荷测量电路的温度系数约0.6mV/℃,远好于补偿前的性能,且满足BESⅢ工程设计指标。 展开更多
关键词 besⅲ tof电荷测量 温度补偿
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