BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响

文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子也没有促进B穿透。