BF_2^+注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量

利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF+2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。

BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响

文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子也没有促进B穿透。

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。

硅中注入BF^＋2辐射损伤的反常行为

借助离子束背散射和沟道技术结合透射电子显微镜分析，研究了在３００Ｋ和７７Ｋ下硅中注入ＢＦ２＋辐射损伤的反常行为．结果发现ＢＦ２＋注入在硅中产生的损伤层或无定形层情况区别于其它较重离子（质量数≥２７Ａｌ＋）注入．在３００Ｋ下注入时，硅中引入的两个损伤峰，其中一个位于离子入射的平均投影射程附近，另一个则在近表面；在７７Ｋ下注入时，硅中引入的损伤层或无定形层首先出现在近表面，随注入剂量的增加，无定形层向硅体内延伸。

1,3,5,7-四甲基-2,6-二乙基-8-烷基取代吡咯甲川-BF_2配合物的合成及光谱特性

Three novel 8-alkyl pyrromethene-BF2 complexes have been synthesized. Their structures were confirmed by IR, MS, 1H NMR and elemental analysis. Their spectral behavior have been discussed in terms of UV-Vis and fluorescence spectral results, which indicate compound 4bhas a extremely high fluorescence quantum yield.