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沟道SI-GaAs衬底上正装GaAlAs/GaAs BH激光器的制作
1
作者
殷景志
胡礼中
张皓月
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期73-77,共5页
介绍了宽沟道SI-GaAs衬底上的BH激光器的制作,全部结构由两次外延形成,阈值电流为55mA。在I=2Ith时,P-I曲线仍保持良好的线性关系。
关键词
GAALAS
GaAa
激光器
正装衬底
bh激光器
下载PDF
职称材料
差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
2
作者
胡礼中
白利伟
+1 位作者
赵宇
王美田
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期336-338,共3页
在常规液相外延 (L PE)系统中 ,利用差温生长 4层激光晶片与 Ti、Zn掺杂生长高阻半绝缘 In P侧向限制层相结合的方法 ,制备出了阈值电流约为 16 m A、峰值激射波长 1.5 32 μm、单面光输出功率大于4 m
关键词
差温法
掺杂
限流层
bh激光器
钛锌
原文传递
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaAlAs...
3
作者
张皓月
刘式墉
《吉林大学研究生论文集刊》
1989年第4期80-85,共6页
关键词
bh激光器
光发射机
单片集成
下载PDF
职称材料
题名
沟道SI-GaAs衬底上正装GaAlAs/GaAs BH激光器的制作
1
作者
殷景志
胡礼中
张皓月
机构
吉林工业大学
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期73-77,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
介绍了宽沟道SI-GaAs衬底上的BH激光器的制作,全部结构由两次外延形成,阈值电流为55mA。在I=2Ith时,P-I曲线仍保持良好的线性关系。
关键词
GAALAS
GaAa
激光器
正装衬底
bh激光器
Keywords
GaAlAs/GaAs
bh
Laser Wide Channel
Up-mounted Substrate
Secondary Epitaxy
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
2
作者
胡礼中
白利伟
赵宇
王美田
机构
大连理工大学物理系
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期336-338,共3页
基金
教育部优秀年轻教师基金资助项目 (教司 1999.5 )
文摘
在常规液相外延 (L PE)系统中 ,利用差温生长 4层激光晶片与 Ti、Zn掺杂生长高阻半绝缘 In P侧向限制层相结合的方法 ,制备出了阈值电流约为 16 m A、峰值激射波长 1.5 32 μm、单面光输出功率大于4 m
关键词
差温法
掺杂
限流层
bh激光器
钛锌
Keywords
Differential temperature growth
Buried Heterostructure(
bh
)
Laser
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaAlAs...
3
作者
张皓月
刘式墉
出处
《吉林大学研究生论文集刊》
1989年第4期80-85,共6页
关键词
bh激光器
光发射机
单片集成
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟道SI-GaAs衬底上正装GaAlAs/GaAs BH激光器的制作
殷景志
胡礼中
张皓月
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
2
差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
胡礼中
白利伟
赵宇
王美田
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
原文传递
3
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaAlAs...
张皓月
刘式墉
《吉林大学研究生论文集刊》
1989
0
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职称材料
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