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沟道SI-GaAs衬底上正装GaAlAs/GaAs BH激光器的制作
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作者 殷景志 胡礼中 张皓月 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期73-77,共5页
介绍了宽沟道SI-GaAs衬底上的BH激光器的制作,全部结构由两次外延形成,阈值电流为55mA。在I=2Ith时,P-I曲线仍保持良好的线性关系。
关键词 GAALAS GaAa 激光器 正装衬底 bh激光器
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差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
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作者 胡礼中 白利伟 +1 位作者 赵宇 王美田 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期336-338,共3页
在常规液相外延 (L PE)系统中 ,利用差温生长 4层激光晶片与 Ti、Zn掺杂生长高阻半绝缘 In P侧向限制层相结合的方法 ,制备出了阈值电流约为 16 m A、峰值激射波长 1.5 32 μm、单面光输出功率大于4 m
关键词 差温法 掺杂 限流层 bh激光器 钛锌
原文传递
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaAlAs...
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作者 张皓月 刘式墉 《吉林大学研究生论文集刊》 1989年第4期80-85,共6页
关键词 bh激光器 光发射机 单片集成
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