一种低功耗快速瞬态响应无片外电容LDO

针对无片外电容LDO瞬态响应问题,提出了一种基于Miller BICMOS OTA结构的N型功率管LDO。BJT Push-Pull作为电路的中间级,具有低功耗、高增益、高摆率的特点。输出扰动通过电容耦合至中间级,形成了一条快速反馈环路,拓展了反馈环路带宽,提高了负载瞬态响应速度。因为输出级为源随器,系统整体为两级运放结构,仅需通过密勒电容进行补偿,就可以获得良好的稳定性。电路基于Hynix 180 nm BCD工艺设计,仿真结果显示,系统静态电流约为10μA,增益约为102 dB,带宽约为800 kHz,相位裕度约为61°,其中反馈环路带宽约为30 MHz。当输入电压为5 V,不接片外电容,负载电容为5 pF,输出电流从20 mA切换到200μA用时300 ps时,系统响应时间约为420 ps,过冲电压约为253 mV。