一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。

一种基于BIFET工艺的采样保持电路

基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保持模式下低漏电设计等关键技术进行了分析。芯片流片测试结果表明,该采样保持电路在±15V工作电压条件下,增益误差≤0.005%,失调电压≤3 mV,电源电流≤6.5 mA,电源抑制比≥80 dB,-3 dB带宽≥10 MHz,捕捉时间≤10μs,满足高精度数模转换器(ADC)前端对信号采样保持的应用需求。