一种快速测量晶体管共射极直流放大倍数(HFE)的方法

晶体管是一种常用的半导体分立器件,共射极直流放大倍数(HFE)是其重要的一个参数,定义为指定集电极和发射极之间的电压(Uce)下、指定集电极电流(Ic)时和基极电流(Ib)的比值。晶体管是电流控制型器件,为达到指定Ic,在测量时通常采用扫描法:逐步增加Ib,测量Ic的值,当到达指定值时停止扫描,计算比值。这种方法效率很低,本文介绍了一种快速测试的方法,借助ATE上参数测量单元(PMU)的加流功能,一次就可以快速测量出放大倍数。

电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析

研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。

一种面向植入式RFID标签的温度传感器

针对动物体温测量,提出一种新型测温方法,并设计了一种面向植入式RFID标签的温度传感器。首先介绍了传感前端电路,然后介绍了缩放型模数转换器的设计,最后采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,对该温度传感器进行了仿真。仿真结果表明,在1.8 V工作电压下,平均电流为4.5μA,单次温度转换时间为1.8 ms,在25℃~45℃范围内,温度误差为±0.2℃。

一款高性能JFET输入运算放大器

基于结型场效应晶体管（JFET）和双极型晶体管（BJT）兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分析,对运算放大器的特性参数进行了仿真和优化,采用Bi-JFET工艺进行了工艺流片。测试结果表明,运算放大器在±15 V电源电压下输入失调电压为0.57 mV,输入偏置电流为0.021 nA,输入失调电流为0.003 nA,单位增益带宽为4.8 MHz,静态功耗为48 m W。运算放大器芯片版图尺寸为1.2 mm×1.0 mm。

一种低失调高压大电流集成运算放大器

基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器。电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作为放大管,采用复合有源负载结构;输出级采用复合npn达林顿管阵列,与常规推挽输出结构相比,在输出相同电流的情况下,节省了大量芯片面积。基于Cadence Spectre软件对该运算放大器电路进行了仿真分析和优化设计,在±35 V电源供电下,最小负载电阻为6Ω时的电压增益为95 dB,输入失调电压为0.224 5 mV,输入偏置电流为31.34 pA,输入失调电流为3.3 pA,单位增益带宽为9.6 MHz,具有输出9 A峰值大电流能力。