上海股市BM效应与投资策略实证分析

本文选取上海股票市场1997年至2006年中的数据,对BM效应进行检验。研究发现,BM值居中的股票在研究期间内的表现最好,因此建议投资者选取BM值居中的股票进行投资。

磁控溅射制备In_2O_3-SnO_2薄膜与分析

选择In2O3与SnO2质量比1：1的靶材为溅射源，采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜，讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响，深入分析了其机理。研究结果表明：溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率，并确定最佳氩气压强为0．2Pa，厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90％；氧流量能明显改变薄膜的性能，随着氧流量从0增加10L／min（标准状态下，下同），载流子浓度（N）则由3．2×10^20降低到1．2×10^19／cm^3，N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度（Eg）的变化密切相关。振子模型与实验结果吻合，并确定了ITO薄膜的等离子波长（λ=1510nm）。薄膜随方阻减小表现出明显的“B-M”效应。通过线性外推，建立了直接跃迁的（αE）^2模型，并确定了薄膜的Eg值（3．5～3．86eV）。

In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。