BN-GaN异质结器件中子探测性能研究

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,因其独特的物理特性,如宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等,在光电器件及高能物理探测领域展现出巨大潜力。而氮化硼(BN)材料,以其优异的载流子迁移率和光吸收能力,成为与GaN结合形成异质结的理想候选。文章深入探讨了BN-GaN异质结器件在中子探测领域的应用及其性能表现,通过实验与理论分析,研究了BN-GaN异质结器件在中子探测中的性能特点,并探讨了其应用前景。

缓冲夹层影响异质结有机光伏器件性能研究

制备了结构为CuPc/缓冲层/C60异质结的有机光伏器件,分别选用三氧化钼和红荧烯为缓冲层,研究了增加缓冲层对器件性能的影响.结果表明,增加三氧化钼和红荧烯缓冲层后器件的开路电压和光电转换效率都得到提高,器件的短路电流密度和填充因子都有所降低.开路电压从没有缓冲层时的0.39V分别提高到0.58V、0.55V,转换效率从0.36%提高到0.44%,短路电流从1.92mA/cm2分别降低到1.77mA/cm2、1.81mA/cm2,填充因子从0.48分别减少到0.43、0.44.进一步研究表明器件的短路电流密度受缓冲层厚度的影响很大,当缓冲层厚度很小时,器件短路电流密度还有所增加,但随着缓冲层厚度的增加,短路电流密度逐渐减小,当缓冲层厚度为10nm时,器件短路电流密度减少到0.35mA/cm2.开路电压随着厚度的增加逐渐增加,从1nm时的0.43V增加10nm时0.63V.根据整数电荷转移模型和界面能级理论解释有机光伏器件开路电压提高以及短路电流密度减少的原因,为有机太阳能电池性能的改善提供了研究方法.

SiGe／Si异质结光电器件

SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件的集成。

双层异质结器件载流子复合位置的研究

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础，以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针，通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度，研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明，对于双层器件NPB／Alq3，载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。

有机无机异质结电致发光器件发光机理的研究

制备了3种有机 无机异质结电致发光器件。由于电场强度或界面势垒的不同,这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别:器件A的发光主要是来自无机层的蓝光,器件B中有机层和无机层都有发光,而器件C只有来自有机层的发光。对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制。

具有异质结的聚合物有机薄膜电致发光器件

本文报道了由一层电子传输材料 PPQ和一层空穴传输材料 PDDOPV构成的有机聚合物异质结发光二极管的实验结果 .虽然双层器件的点亮电压高于由纯 PDDOPV构成的单层器件 ,但是它在一定电压下 ,电流密度降低了一个数量级 。

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。

基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值。

PTPD/Alq_3异质结掺杂器件载流子的复合与发射

以新型的空穴传输材料PTPD(三苯基二胺衍生物聚合物)制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq3(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene(红荧烯)为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光(EL)光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和F rster能量转换过程的共同作用。

面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀AlGaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基AlGaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。

HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展

HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色。近年来基于多层异质结构的Hg Cd Te高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构为主的器件受到了广泛的研究。本文系统介绍了势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构HgCdTe红外探测器的暗电流抑制机理,分析了制约两种器件结构发展的关键问题,并对国内外的研究进展进行了综述。对多层异质结构Hg CdTe红外探测器的发展进行了总结与展望。

C_（60）发光器件与异质结

Ｃ_（６０）发光器件与异质结杨国伟（湘潭大学物理系，湘潭４１１１０５）１引言富勒烯作为一种新型的功能材料，已经引起科技界的广泛关注，成为近年来材料研究的热点，尤其是富勒烯中碱金属掺杂的Ｃ５０表现出的高温超导性，以及Ｃ６０、Ｃ７０等表现出强烈的非线性光?..

SiGe／Si异质结器件

本文综述了国际上ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的发展状况，分析了该器件的结构机理、特点、优越性及制造技术，阐述了该器件的广阔应用前景和对微电子技术将产生的重大影响。

石墨烯异质结及其光电器件的研究进展

石墨烯是具有高迁移率、高热导率、高比表面积、高透过率及良好的机械强度等特性的二维材料,在光电子器件领域被广泛用作透明电极及电荷传输层等。但由于石墨烯是零带隙材料,为半金属性,限制了其在半导体光电子器件领域的应用。为更加切合半导体产业应用的要求,构建异质结已经成为相关领域实现应用的重要途径。国际上已有较多团队开展了石墨烯异质结相关研究,目前已有较多报道。本文从石墨烯的性质出发,讲述了石墨烯异质结的发展历程,制备方法,并从材料制备与器件结构的角度总结了基于石墨烯异质结光电子器件的研究进展。最后,对石墨烯异质结在光电子器件领域的发展进行了展望。

可用于GaAlAs／GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式．针对带缓冲层ＧａＡｌＡｓ可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Ｓｈｉｍｉｚｕ等有关器件寿命的实验结果．分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处．

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。

异质结界面结构在石墨烯负阻器件中的作用

基于石墨烯纳米带异质结设计新型负微分电阻(Negative differential resiatance,NDR)器件的思路,利用不同宽度尺寸石墨烯纳米带的组合来搭建双势垒量子阱,构造了具有优良NDR性能的新型器件。通过一系列的数值计算仿真,揭示了不同异质结界面结构对负微分电阻器件的电流强度和电流峰值的影响机制,并将其归因为"奇数"和"偶数"两种界面连接方式。对于"奇数"连接方式的石墨烯异质结,电子结构没有表现出局域性,而对于"偶数"连接形式的石墨烯异质结,电子结构则表现出很强的局域性,导致对应器件的沟道电流强度较低。

SiGe/Si异质结器件

自50年代初期,人们即已开始研究SiGe半导体材料。可是由于生长技术困难未能获得品质优良的半导体材料,因而在相当长的一个时期内,一直未受到重视。直到70年代中期,Kasper等彩用超高真空蒸发的方法,在Si衬底上生长出了品质良好的SiGe材料,才重新引起了人们的重视。以后,随着Si分子束外延技术(Molecular beam epitaxy。

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管、异质结双极晶体管和双极场效应管的特点、发展水平和新型器件结构。

Si/Si_(1-x)Ge_x异质结器件

本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。