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CuBi_2O_4掺杂对BNBCT基陶瓷介电性能的影响
1
作者
王力
梁芳芳
+1 位作者
李南安
周枚锦
《安徽电子信息职业技术学院学报》
2013年第3期15-17,共3页
采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得...
采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得了在-55℃~250℃的宽温范围内,容温变化率都在±15%以内的耐高温MLCC。
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关键词
铋酸铜
bnbct
介电常数
介质损耗
容温变化率
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职称材料
题名
CuBi_2O_4掺杂对BNBCT基陶瓷介电性能的影响
1
作者
王力
梁芳芳
李南安
周枚锦
机构
广东工程职业技术学院
广东省科技工作者服务中心
出处
《安徽电子信息职业技术学院学报》
2013年第3期15-17,共3页
文摘
采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得了在-55℃~250℃的宽温范围内,容温变化率都在±15%以内的耐高温MLCC。
关键词
铋酸铜
bnbct
介电常数
介质损耗
容温变化率
Keywords
CuBi2O4
bnbct
dielectric cons tants
dielectric loss
△C/C25
分类号
TN04 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
CuBi_2O_4掺杂对BNBCT基陶瓷介电性能的影响
王力
梁芳芳
李南安
周枚锦
《安徽电子信息职业技术学院学报》
2013
0
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