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CuBi_2O_4掺杂对BNBCT基陶瓷介电性能的影响
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作者 王力 梁芳芳 +1 位作者 李南安 周枚锦 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2013年第3期15-17,共3页
采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得... 采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得了在-55℃~250℃的宽温范围内,容温变化率都在±15%以内的耐高温MLCC。 展开更多
关键词 铋酸铜 bnbct 介电常数 介质损耗 容温变化率
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