设计应用直探:从Z-元件到BNRT

１．引言图１两种典型的负阻特性（ａ）电流可控型（Ｓ型）（ｂ）电压可控型（Ｎ型）据《电子产品世界》（１９９５年６月、１１月）报道，于１９９０年公开了早在五年前由俄国传感器专家ＶＺＯＴＯＶ教授发明并生产的一种据称是“世界上独一无二的传感器：Ｚ元件……...

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 .根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布 ,解释了S型负阻特性产生机理 .分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况 ,结果表明 ,随控制电压的增大 ,转折电压、转折电流和维持电压均增大 .模拟结果和实验结果一致 .BNRT的三端化实现 ,克服了两端应用的诸多缺点 。

三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后,对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟,总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。