退火温度对BNST薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/LaAlO3(100)衬底上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系(BNST)薄膜。研究了退火温度对BNST薄膜结构、表面形貌和介电性能的影响。X线衍射仪(XRD)分析表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大。经850℃退火处理的BNST薄膜具有很好的结晶质量。原子力显微镜(AFM)分析表明,在一定范围内提高退火温度所制备的薄膜晶粒致密、大小均匀。LCR测试分析表明,在测试频率为100kHz时,随着退火温度的升高,BNST薄膜介电常数有所增加,介电损耗则先降低,后增加。实验表明,经850℃退火处理,所制备的BNST薄膜的介电常数达37,介电损耗小于1.2‰。

BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2薄膜的微波特性

在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上,利用磁控溅射法制备了一层BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)系薄膜,再对薄膜进行退火处理。X线衍射仪(XRD)分析表明,经退火处理的BNST薄膜结晶效果良好。采用薄膜电容结构来实现电容的测量,主要研究了BNST薄膜电容的频率特性。阻抗分析测试和矢量网络分析测试表明,在测试频率为1MHz时,介电常数为58.3,介电损耗小于2%;在1GHz的测试频率下,介电常数为57.5,介电损耗小于3%。研究表明,制备的BNST薄膜的频率特性稳定,基本满足微波频率下使用的要求。