对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的解决方案。选取A、B组电池样品各4片,在230℃下,A组分别采用[1,10,20,30]k W/m^2的光照功率进行10 s的LIR处理、B组采用20 k W/m^2的光照功率分别进行[10,20,30,...对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的解决方案。选取A、B组电池样品各4片,在230℃下,A组分别采用[1,10,20,30]k W/m^2的光照功率进行10 s的LIR处理、B组采用20 k W/m^2的光照功率分别进行[10,20,30,40]s的LIR处理;A、B组均在2 k W/m^2光照功率、85℃温度下进行10 H的LID测试,考察LIR后和LID后的电池转换效率相对变化值。随着光照功率的增大,LIR后的相对变化值由0.148%提升至0.792%,LID后的相对变化值由-2.608%改善至-0.396%,效果显著;随着光照时间的推移,LIR后的相对变化值由0.695%提升至0.939%,LID后的相对变化值由-0.794%改善至-0.395%,不甚显著。对现象成因进行讨论,表明高光照功率激发了电池硅基体内部的H^+、H^0和H^-,其中H^0和H^-存在的电子能够分别对硅基体内部和表面进行钝化,提升其少子寿命;H^+能够与B^-结合成BH复合体,阻碍BO复合体的生成,从而抑制电池的LID效应。展开更多
文摘对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的解决方案。选取A、B组电池样品各4片,在230℃下,A组分别采用[1,10,20,30]k W/m^2的光照功率进行10 s的LIR处理、B组采用20 k W/m^2的光照功率分别进行[10,20,30,40]s的LIR处理;A、B组均在2 k W/m^2光照功率、85℃温度下进行10 H的LID测试,考察LIR后和LID后的电池转换效率相对变化值。随着光照功率的增大,LIR后的相对变化值由0.148%提升至0.792%,LID后的相对变化值由-2.608%改善至-0.396%,效果显著;随着光照时间的推移,LIR后的相对变化值由0.695%提升至0.939%,LID后的相对变化值由-0.794%改善至-0.395%,不甚显著。对现象成因进行讨论,表明高光照功率激发了电池硅基体内部的H^+、H^0和H^-,其中H^0和H^-存在的电子能够分别对硅基体内部和表面进行钝化,提升其少子寿命;H^+能够与B^-结合成BH复合体,阻碍BO复合体的生成,从而抑制电池的LID效应。
