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SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制
被引量:
1
1
作者
武艳青
张奇
+3 位作者
车相辉
于峰涛
姚文港
董风鑫
《电子工艺技术》
2021年第6期334-337,共4页
制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果...
制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果表明,光刻胶掩模与SiO_(2)膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定。分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的方法。
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关键词
SiO_(2)薄膜
boe腐蚀液
湿法
腐蚀
腐蚀
速率
腐蚀
形貌
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职称材料
题名
SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制
被引量:
1
1
作者
武艳青
张奇
车相辉
于峰涛
姚文港
董风鑫
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《电子工艺技术》
2021年第6期334-337,共4页
文摘
制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果表明,光刻胶掩模与SiO_(2)膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定。分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的方法。
关键词
SiO_(2)薄膜
boe腐蚀液
湿法
腐蚀
腐蚀
速率
腐蚀
形貌
Keywords
SiO_(2)film
boe
wet etching
etching rate
etching profile
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制
武艳青
张奇
车相辉
于峰涛
姚文港
董风鑫
《电子工艺技术》
2021
1
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