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BPSG膜的沉积、性质及其应用
被引量:
2
1
作者
曾天亮
陈平
+1 位作者
江志庚
李志彭
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第2期12-15,共4页
本文介绍BPSG膜的沉积、性质及采用BPSG膜作回流介质层和表面钝化层.实验结果证明,在提高器件的可靠性、稳定性和成品率等方面BPSG膜均优于PSG膜.
关键词
bpsg膜
半导体薄
膜
硼
磷
硅
下载PDF
职称材料
BPSG膜的CVD方法
2
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第4期3-3,共1页
一种用于在半导体晶片或者衬底上原位形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃膜的方法和装置。在实施例中,该方法由将衬底提供到腔室中开始。该方法通过将硅源、氧源、硼源和磷源提供到腔室中以便在衬底上形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃层继续。该方法进...
一种用于在半导体晶片或者衬底上原位形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃膜的方法和装置。在实施例中,该方法由将衬底提供到腔室中开始。该方法通过将硅源、氧源、硼源和磷源提供到腔室中以便在衬底上形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃层继续。该方法进一步包括回流形成在衬底上的高浓度硼磷硅酸盐玻璃层。
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关键词
bpsg膜
CVD
磷硅酸盐
半导体晶片
原位形成
玻璃层
衬底
玻璃
膜
下载PDF
职称材料
采用O_3-TEOS-BPSG膜和三步^(RF)偏压溅射法形成的平坦化技术
3
作者
小室雅宏
晓曙
《微电子技术》
1994年第4期29-34,共6页
关键词
光刻
平坦化
bpsg膜
偏压溅射法
下载PDF
职称材料
减压热CVD装置DSM9800
4
作者
一弓
《等离子体应用技术快报》
1998年第12期12-13,共2页
关键词
减压
CVD装置
bpsg膜
薄
膜
装置
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职称材料
题名
BPSG膜的沉积、性质及其应用
被引量:
2
1
作者
曾天亮
陈平
江志庚
李志彭
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第2期12-15,共4页
文摘
本文介绍BPSG膜的沉积、性质及采用BPSG膜作回流介质层和表面钝化层.实验结果证明,在提高器件的可靠性、稳定性和成品率等方面BPSG膜均优于PSG膜.
关键词
bpsg膜
半导体薄
膜
硼
磷
硅
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
BPSG膜的CVD方法
2
机构
美国应用材料有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第4期3-3,共1页
文摘
一种用于在半导体晶片或者衬底上原位形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃膜的方法和装置。在实施例中,该方法由将衬底提供到腔室中开始。该方法通过将硅源、氧源、硼源和磷源提供到腔室中以便在衬底上形成高浓度硼磷硅酸盐玻璃层继续。该方法进一步包括回流形成在衬底上的高浓度硼磷硅酸盐玻璃层。
关键词
bpsg膜
CVD
磷硅酸盐
半导体晶片
原位形成
玻璃层
衬底
玻璃
膜
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
采用O_3-TEOS-BPSG膜和三步^(RF)偏压溅射法形成的平坦化技术
3
作者
小室雅宏
晓曙
出处
《微电子技术》
1994年第4期29-34,共6页
关键词
光刻
平坦化
bpsg膜
偏压溅射法
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
减压热CVD装置DSM9800
4
作者
一弓
出处
《等离子体应用技术快报》
1998年第12期12-13,共2页
关键词
减压
CVD装置
bpsg膜
薄
膜
装置
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
BPSG膜的沉积、性质及其应用
曾天亮
陈平
江志庚
李志彭
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989
2
下载PDF
职称材料
2
BPSG膜的CVD方法
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008
0
下载PDF
职称材料
3
采用O_3-TEOS-BPSG膜和三步^(RF)偏压溅射法形成的平坦化技术
小室雅宏
晓曙
《微电子技术》
1994
0
下载PDF
职称材料
4
减压热CVD装置DSM9800
一弓
《等离子体应用技术快报》
1998
0
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职称材料
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