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Optimization of ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/BPhen/LiF/Al Layers Configuration for OLED and Study of Its Optical and Electrical Characteristics
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作者 Ritu Sandhya Kattayat +3 位作者 H.K.Subania S.Z.Hashmi Jasgurpreet Singh P.A.Avi 《Semiconductor Science and Information Devices》 2023年第1期3-10,共8页
Nowadays,OLEDs have shown aesthetic potential in smart cards,sensor displays,other electronic devices,sensitive medical devices and signal monitoring etc.due to their wide range of applications like low power consumpt... Nowadays,OLEDs have shown aesthetic potential in smart cards,sensor displays,other electronic devices,sensitive medical devices and signal monitoring etc.due to their wide range of applications like low power consumption,high contrast ratio,speed highly electroluminescent,wide viewing angle and fast response time.In this paper,a highly efficient organic LED ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/BPhen/LiF/Al with low turn-on voltage and high optically efficiency is presented including electrical and optical characteristics.The simulation of electrical characteristics like current versus applied voltage,current density versus applied voltage,recombination prefactor versus excess carrier density characteristics and optical characteristics like light flux versus current density,light flux versus applied voltage and optical efficiency versus applied voltage has been explained.The physical design,working principle and thickness of different layers along with the process of formation of singlet and triplet excitons are discussed in detail.Here double electron transport layer(ETL),cathode layers are used to enhance the electrical and optical efficiency of OLED.The operating voltage is found to be~3.2 V for the ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/BPhen/LiF/Al heterostructure based OLED.The designed organic LED has achieved the maximum optical efficiency at 3 V. 展开更多
关键词 OLED ALQ3 bphen TPBi I-V characteristics
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实时定量PCR法分析白桦中一花发育相关基因BpHEN的时序表达 被引量:7
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作者 杨传平 魏继承 +2 位作者 李同华 王超 姜静 《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-2,6,共3页
对白桦花序进行分期取材,以CTAB法提取各期材料的总RNA,应用SMART(Switching Mechanism At5′end of RNA Transcript)策略合成cDNA。根据BpHEN序列片段设计引物,通过特异扩增、产物纯化、梯度稀释,制备出系列标准样。通过实时定量PCR分... 对白桦花序进行分期取材,以CTAB法提取各期材料的总RNA,应用SMART(Switching Mechanism At5′end of RNA Transcript)策略合成cDNA。根据BpHEN序列片段设计引物,通过特异扩增、产物纯化、梯度稀释,制备出系列标准样。通过实时定量PCR分析BpHEN在各取材时期的表达情况表明,BpHEN在雌花序中的表达要高于雄花序,且在雌花序中有3个表达高峰,分别对应于授粉期、胚珠发育期、果实发育期。 展开更多
关键词 白桦 bphen 表达 实时定量PCR
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Bphen掺杂Cs2CO3作为电子传输层对OLED器件性能的影响 被引量:5
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作者 胡俊涛 程群 +4 位作者 余承东 杨劲松 梅文娟 陆红波 王洁然 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期943-948,共6页
为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效... 为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件,采用25nm的Bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。 展开更多
关键词 电子传输层 bphen Cs2CO3 OLED
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BPhen作为发光层间隔层对黄光OLED的影响 被引量:5
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作者 李怀坤 张方辉 +1 位作者 程君 丁磊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期38-43,共6页
使用R-4B和GIrl作为磷光掺杂剂、CBP为主体、BPhen为发光层间隔层,制备了包含红、绿双发光层的黄色磷光OLED器件。器件结构为ITO/Mo O3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶GIrl(14%)(20nm)/BPhen(x nm)/CBP∶R-4B(6%)(10 nm)/BCP(10 n... 使用R-4B和GIrl作为磷光掺杂剂、CBP为主体、BPhen为发光层间隔层,制备了包含红、绿双发光层的黄色磷光OLED器件。器件结构为ITO/Mo O3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶GIrl(14%)(20nm)/BPhen(x nm)/CBP∶R-4B(6%)(10 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/Li F(1 nm)/Al(1 000 nm)。BPhen位于两发光层之间,具有调节载流子复合的功能,其中x为BPhen的厚度。通过调整x的值,研究了BPhen厚度对OLED器件发光性能的影响。实验结果表明,适当厚度的BPhen层可以提高器件的发光亮度和电流效率。BPhen厚度为6 nm的器件性能最佳,16 V驱动电压下的器件亮度最高可达11 270 cd/m2,最大电流效率为24.35 cd/A,而且绿光和红光波峰强度相近,黄光颜色纯正,色坐标趋近于(0.5,0.5)。 展开更多
关键词 间隔层 bphen 有机电致发光
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基于NPB和Bphen的有机紫外探测器件的性能研究
5
作者 苏斌 张欣馨 +2 位作者 刘春波 车广波 刘书宇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期369-371,438,共4页
有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和Bphen分别为空穴注入层、给体和受体制备了OUV-PD。器件结构为:ITO/m-MTDATA/NPB/Bphen/LiF/Al,通过优化... 有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和Bphen分别为空穴注入层、给体和受体制备了OUV-PD。器件结构为:ITO/m-MTDATA/NPB/Bphen/LiF/Al,通过优化给受体层的厚度,实现了器件的最优性能。当NPB厚度为60nm、Bphen厚度为90nm时器件性能最佳,在光照强度为1.05mW/cm2、波长为365nm的紫外光照射下,最大响应度为131mA/W。同时,结合材料特点和器件结构讨论了工作机理。 展开更多
关键词 有机紫外探测器件 NPB bphen 响应度
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Bphen/Ag/Bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响
6
作者 徐洁 李青 +1 位作者 王洪 林慧 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期309-312,316,共5页
采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算... 采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能,降低器件的串联电阻。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用,发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。 展开更多
关键词 有机太阳电池(OSC) 复合缓冲层 bphen 超薄层 界面修饰
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Bphen作为缓冲层对有机太阳能电池的光电性能影响
7
作者 黄秋炎 钟建 +3 位作者 刘峰 高卓 于军胜 蒋亚东 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期250-254,共5页
选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,使用Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OSC)。考察OSC性能与缓冲层Bphen厚度之间的关系,优... 选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,使用Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OSC)。考察OSC性能与缓冲层Bphen厚度之间的关系,优化器件的结构。在标准太阳光照条件下(AM1.5)测量器件的I-V特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与缓冲层厚度密切相关。采用高真空蒸发的方法,制作了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的器件,器件效率随着Bphen厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.85%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.22%;而当厚度为5 nm时,效率为1.69%;当厚度为7.5 nm时,效率则为0.79%,当厚度为10 nm时,效率则为0%。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 光伏效应 缓冲层 bphen
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用BPhen作基质的铕配合物OLED发光机制研究 被引量:1
8
作者 辛琦 李文连 +2 位作者 李天乐 苏文明 孙小燕 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期10-13,共4页
用具有良好电子传输/空穴阻挡性能的BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)作基质,Eu(DBM)3pyzphen(pyzphen=pyrazino-[2,3-f][1,10]-phenanthroline,DBM=Dibenzoylmethane)作发射材料,成功制得了高效率、高亮度的有机电致发光器件O... 用具有良好电子传输/空穴阻挡性能的BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)作基质,Eu(DBM)3pyzphen(pyzphen=pyrazino-[2,3-f][1,10]-phenanthroline,DBM=Dibenzoylmethane)作发射材料,成功制得了高效率、高亮度的有机电致发光器件OLED。器件的最大外量子效率为2.5%,最大电流效率为5.3cd/A,最大亮度为1320cd/m2。在亮度为200和1000cd/m2时,器件的色坐标分别为(0.66,0.33)和(0.65,0.34)。深入研究了该器件的发光机制,发现在电致发光(EL)过程中,载流子直接被Eu(DBM)3pyzphen陷获是主要的发光机制,同时在BPhen与Eu(DBM)3pyzphen间还存在着有效的能量传递。 展开更多
关键词 有机电致发光器件(OELD) 铕配合物 bphen机制
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基于Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层的OLED性能研究 被引量:1
9
作者 杜帅 张方辉 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期19-24,共6页
为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Bphen:(X%)BCP:(5%)Cs_2CO_3(15nm)/Cs_2CO_3(1.5nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP的掺杂浓度,研究了以Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层... 为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Bphen:(X%)BCP:(5%)Cs_2CO_3(15nm)/Cs_2CO_3(1.5nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP的掺杂浓度,研究了以Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。结果表明,采用Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能,相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10%的Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层,可以使器件的最大电流效率提高46%,达到3.89cd/A,且在电压从为5V上升至10V的过程中,器件的色坐标一直为(0.35,0.55),具有很高的稳定性。原因是由于BCP的高LUMO能级和高HOMO能级,能够有效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加平衡,发光也更加稳定。 展开更多
关键词 电子传输层 bphen BCP Cs2CO3 有机电致发光器件
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激基复合物有机发光二极管中平衡载流子增强电荷转移态的反向系间窜越过程
10
作者 王辉耀 魏福贤 +4 位作者 吴雨廷 彭腾 刘俊宏 汪波 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期311-319,共9页
电荷转移(charge transfer,CT^(1)和CT^(3))态的反向系间窜越(reverse inter-system crossing,RISC,CT^(1)←CT^(3))过程是提高激子利用率的有效途径,精准利用该过程对于制备高效率激基复合物型(exciplex-type)有机发光二极管(organic l... 电荷转移(charge transfer,CT^(1)和CT^(3))态的反向系间窜越(reverse inter-system crossing,RISC,CT^(1)←CT^(3))过程是提高激子利用率的有效途径,精准利用该过程对于制备高效率激基复合物型(exciplex-type)有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)具有重要科学价值和应用前景.基于m-MTDATA:Bphen的典型激基复合物由于其内部高的RISC速率而受到广泛关注.但到目前为止,在实验上仅从瞬态光致发光谱中推测存在该RISC过程,这不利于全面认识并运用该过程设计高性能的光电器件.本文通过精确调控发光层(x m-MTDATA:y Bphen,x,y为质量分数)中给体与受体的共混比例和流过器件的载流子密度,获得了载流子平衡与非平衡的激基复合物器件,采用特征磁电导(magneto-conductance,MC)响应曲线可视化了平衡激基复合物器件中CT态间的RISC过程,且相比于非平衡器件,该器件具有更高的电致发光效率.本工作不仅能加深对于激基复合物器件中给体/受体共混比例影响载流子平衡的理解,还为最优利用RISC过程制备高效率光电器件提供理论依据和实验基础. 展开更多
关键词 m-MTDATA:bphen 激基复合物 给体/受体的共混比例 磁电导 反向系间窜越过程
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激基复合物给体作间隔层对激子复合区域的调节 被引量:2
11
作者 高浩锋 方圣欢 +2 位作者 张叶峰 陆勍 吕昭月 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期514-520,共7页
为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,... 为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,其中靠近BPhen的TPD称之为间隔层。电致发光光谱表明,该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/BPhen界面,分别发射595 nm和478 nm的光。随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高,发光区域向激基复合物区域(TPD/BPhen界面)移动,即更多的电子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基复合物发光,Ir(pq)2(acac)发光减弱。当间隔层厚度由0 nm增至10nm时,6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5。对于间隔层厚度为6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0。由此可见,激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域。 展开更多
关键词 间隔层 激基复合物 激子复合区域 TPD bphen
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基于载流子平衡的效率及亮度提高的有机蓝光器件 被引量:4
12
作者 穆晓龄 曲加伟 +2 位作者 郭永林 梁续旭 赵毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期917-922,共6页
研究了在两空穴传输层之间插入Bphen中间层对有机蓝光器件(BOLEDs)效率的影响。结果表明,其对空穴的阻挡作用使得电子与空穴在发光区内达到相对平衡,减少了激子-极化子猝灭几率,从而提高了有机蓝光器件的效率和亮度。器件的最大电流效率... 研究了在两空穴传输层之间插入Bphen中间层对有机蓝光器件(BOLEDs)效率的影响。结果表明,其对空穴的阻挡作用使得电子与空穴在发光区内达到相对平衡,减少了激子-极化子猝灭几率,从而提高了有机蓝光器件的效率和亮度。器件的最大电流效率从16.12 cd/A增加到20.52 cd/A,相对提高了27.30%;最大功率效率从14.23 lm/W增加到17.64 lm/W,相对提高了23.96%。文中对提高效率的物理机制进行了详细的阐述。 展开更多
关键词 BOLEDs bphen中间层 激子-极化子猝灭 载流子平衡
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A high mobility C_(60) field-effect transistor with an ultrathin pentacene passivation layer and bathophenanthroline/metal bilayer electrodes 被引量:1
13
作者 周建林 于军胜 +1 位作者 于欣格 蔡欣洋 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期498-503,共6页
C60 field-effect transistor (OFET) with a mobility as high as 5.17 cm2/V.s is fabricated. In our experiment, an ultrathin pentacene passivation layer on poly-(methyl methacrylate) (PMMA) insulator and a bathophe... C60 field-effect transistor (OFET) with a mobility as high as 5.17 cm2/V.s is fabricated. In our experiment, an ultrathin pentacene passivation layer on poly-(methyl methacrylate) (PMMA) insulator and a bathophenanthroline (Bphen)/Ag bilayer electrode are prepared. The OFET shows a significant enhancement of electron mobility compared with the corresponding device with a single PMMA insultor and an Ag electrode. By analysing the C60 film with atomic force microscopy and X-ray diffraction techniques, it is shown that the pentacene passivation layer can contribute to C60 film growth with the large grain size and significantly improve crystallinity. Moreover, the Bphen buffer layer can reduce the electron contact barrier from Ag electrodes to C60 film efficiently. 展开更多
关键词 organic field-effect transistors C60 bphen passivation layer
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具有高效空穴注入的高电子传输层的白光电致发光器件 被引量:6
14
作者 马军伟 张良 +2 位作者 曹进 蒋雪茵 张志林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期308-312,共5页
以MoO3或m-MTDATA作为空穴注入层,Alq3或Bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件。发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.... 以MoO3或m-MTDATA作为空穴注入层,Alq3或Bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件。发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.05%的4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色掺杂剂。研究表明基于MoO3//Bphen结构的器件大大降低了驱动电压,改善了功率效率,在电流密度为20mA/cm2时,其值分别为5.43V和4.54lm/W。与基于m-MTDA-TA//Alq3结构的器件相比,驱动电压降低了40%,功率效率提高57%。 展开更多
关键词 有机电致发光 MOO bphen 载流子平衡
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新型双空穴注入型高效有机电致发光二极管 被引量:13
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作者 丁磊 张方辉 +1 位作者 张麦丽 马颖 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1761-1764,共4页
采用一种新型有机电致发光二极管(OLED)的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的Al膜为出光面,通过在空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中间插入MoO3层,制备了底发射OLED。制备的器件结构为Glass/Al(15nm)/HAT-CN(10nm)/MoO3(30nm)/NPB(30nm)... 采用一种新型有机电致发光二极管(OLED)的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的Al膜为出光面,通过在空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中间插入MoO3层,制备了底发射OLED。制备的器件结构为Glass/Al(15nm)/HAT-CN(10nm)/MoO3(30nm)/NPB(30nm)/Alq3(60nm)/Bphen(Xnm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。用Bphen取代Alq3作为电子传输层(ETL),有利于降低驱动电压和增强器件亮度,器件的最高亮度可以达到15128cd/m2,起亮电压约为3.1V;Bphen作为BTL的器件相比,器件的发光效率提高了近3倍。 展开更多
关键词 有机电致发光器件(OLED) 双空穴注入层(HIL) Bphem电子传输层(ETL)
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