期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
BRAQWET能带结构和优化设计参量
1
作者 史常忻 K.Heime 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期25-28,共4页
对 n型源区、p型势垒区和具有 δ(p+ )薄层势垒区的两种结构 BRAQWET的能带模型 ,作了严格的定量分析 ,由此可以导出设计良好器件的优化参量。这是设计
关键词 braqwet 化合物半导体 光调制器 电光调制 能带结构 优化设计
下载PDF
Optimum Parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQ WET
2
作者 SHIChang-xin K.Heime 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2000年第4期204-206,共3页
A theoretical basis of optimally designed BRAQWET is pr esented. The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the ca lculation of band-structure according to the depletion approximation.
关键词 braqwet Ⅱ-Ⅵ semiconductors Band structure
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部