BSIT开态的数值分析

对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上述结果加深了我们对ＢＳＩＴ通导过程和通态特性的物理本质的认识。

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。

WT3DG系列宽温区晶体管——一种BSIT的改进型器件

利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。

BSIT开启特性的研究

双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟．结果表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即由正向小栅压（ＶＧ≤０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压（ＶＧ≥０．５Ｖ）下的少子注入电流控制机制．数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降与饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压。

金槽BSIT:一种新型静态感应晶体管

功率型静态感应晶体管BSIT是一种高频、高速的功率场控制器件,它既具有功率MOS管一样高的开关速度,又具有双极晶体管一样低的导通压降。它不会发生功率MOS管那样的静电击窗,也不会发生双极晶体管那样的二次击穿。它具有很大的过电流能力,有很宽的安全工作区,是一种非常优良的功率开关器件。

双极模式静电感应晶体管(BSIT)

一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。

一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)

本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。

DX421系列硅双极模式静电感应晶体管(BSIT)

BSIT是一种新型功率开关器件,在国际上仅在日本有产品销售。 该器件在工作原理及结构设计上均有新的突破,因而该器件不仅具有场效应管工作频率高,输出功率大,无二次击穿,电流负温度系数等优点,而且具有双极管饱和压降小的特点,被誉为新一代的电力电子器件。 目前600V,1A。

电子镇流器用联栅晶体管(GAT)和双极静电感应晶体管(BSIT)

众所周知,在荧光灯交流电子镇流器中用作开关的功率晶体管是最关键的元件。半导体功率开关器件性能的优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性具有决定性影响。从电子镇流器失效模式的统计资料来看,功率开关晶体管损坏占电子镇流器故障率的70%以上。如果开关晶体管选用不当,就是采用再先进的电路型式也是枉费心机。

具有优良温度特性的大功率器件

本文介绍了一种大功率器件,其耐压大于100V,I_(CM)>6A,P_(CM)>50W,f_T～200MHz,温度从-55℃变化到+150℃时,其共射极电流放大系数几乎不变。

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。

宽温超高频双极静电感应晶体管研制

描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。

双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究

双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上,本文对开关特性,容量,量及开关损耗等动态参数进行了详细分析,从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义,对实际应用有指导作用。

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。

硅双层特高阻厚层的完美外延

采用四氯化硅氢还原法在钟罩立式高频加热外延炉内掺杂锑的硅衬底上制备了特高阻双层结构(n_2^-/n_1^-/n^+)外延片,n_2^-层电阻率～150Ω·cm,n_1^-层电阻率～50Ω·cm,外延层总厚度达60μm时仍不产生冠状边沿,结晶完美。用于制作BSIT,得到非常满意的结果。

半导体静电感应器件

静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达到高效节能（节能效果可高达40％），二是可优化产品结构、大幅度缩小产品体积，降低原材料消耗。

声波可让光纤中的光变“听话”

要让一根光纤只向一个方向传导光,方法不止一种。最近,美国伊利诺伊大学厄本那-香槟分校研究人员首次实验证明了用布里渊散射引致透明（BSIT）可以实现这种效果,BSIT效应允许光向前传播,而向后传播的光被强烈吸收,还可以让光纤中的光加快、减慢甚至停止。这种非交互的性质是构建绝缘器和环形器的基本条件,也是光学设计中必不可少的工具之一。