MnCO_3掺杂BSTO/MgO复相铁电陶瓷介电性能的研究

在钛酸锶钡(BSTO)与质量分数为60%的MgO混合的基础上,研究了MnCO3掺杂对BSTO/MgO复相铁电陶瓷介电性能的影响。随着MnCO3掺杂量的增加,BSTO晶粒尺寸减小。适量的MnCO3的掺杂可明显降低BSTO/MgO复相材料的高频损耗以及显著提高材料的调谐性。当MnCO3掺杂量为0.5%(物质的量分数)时,BSTO/MgO材料的介电常数为94,高频损耗为2.91×10-3(4.191GHz),介电常数可调率达7.4%(2kV/mm)。

Nd_2O_3掺杂对BSTO/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响(英文)

在钛酸锶钡(BSTO)与质量分数为58%的MgO混合的基础上,采用固相反应法制备了未掺杂Nd2O3和掺杂(0.3,0.5,0.7,1.5mol%)的Ba0.55Sr0.45TiO3/MgO复合陶瓷材料,并研究了它们的显微结构和介电性能。XRD和SEM分析显示,BSTO/MgO复合陶瓷材料只有钙钛矿相,并随着Nd2O3掺杂量的增加,BSTO/MgO复合陶瓷材料晶粒变小。研究结果表明,掺杂适量Nd2O3可以减少BSTO/MgO复合陶瓷材料的高频损耗,并且保持适当的介电常数,但过量掺杂Nd2O3会降低介电常数。当掺杂0.3mol%Nd2O3时,BSTO/MgO复合陶瓷材料的介电常数为88,损耗2.8×10-3(4.1GHz),介电常数可调为6.9%(2.0kV/mm)。利用电介质理论分析了Nd2O3对BSTO/MgO复合陶瓷材料介电性质的改性机理。

MgO-Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3复合粉体的制备

采用液相包覆法制备了MgO包覆的Ba0．6Sr0．4TiO3复合粉体。利用扫描电镜（SEM）和TEM观测了复合粉体前驱体的表面形貌，并用能谱仪（EDS）对前驱体表面进行了微区成分分析。在600℃煅烧合成了MgO包覆的Ba0．6Sr0．4TiO3（BSTO）复合粉体。液相包覆法制备的MgO-BSTO复合粉体包覆层较均匀，厚约为10～100nm。实验开创了制备纳米MgO包覆BSTO颗粒制备复合粉体的一种全新工艺。