三重表面降场UHVLDMOS的仿真分析

提出三重表面降场(Triple RESURF)UHVLDMS的两种结构:无NTOP及有NTOP结构,分别对其击穿耐压和导通电阻进行仿真,得出BVdss,Rdson后获得最优工艺条件,并换算出Rsp,与双重resurf的Rsp对比,无Ntop结构具有10%左右的优势,有NTOP结构具有32%左右的优势。并且,提出三重降场式UHVLDMOS需要MeV注入设备的需要,且对关键工艺剂量(DN,PT)仿真拉偏,观察其工艺余量。