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抗辐射SRAM测试系统的设计与实现 被引量:3
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作者 徐鑫龙 《中国集成电路》 2016年第3期52-55,共4页
本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写... 本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写功能正确与否。 展开更多
关键词 SRAM 抗辐射 bw6416 FPGA
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