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抗辐射SRAM测试系统的设计与实现
被引量:
3
1
作者
徐鑫龙
《中国集成电路》
2016年第3期52-55,共4页
本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写...
本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写功能正确与否。
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关键词
SRAM
抗辐射
bw6416
FPGA
下载PDF
职称材料
题名
抗辐射SRAM测试系统的设计与实现
被引量:
3
1
作者
徐鑫龙
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《中国集成电路》
2016年第3期52-55,共4页
文摘
本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写功能正确与否。
关键词
SRAM
抗辐射
bw6416
FPGA
Keywords
SRAM
radiation hardened
bw6416
FPGA
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抗辐射SRAM测试系统的设计与实现
徐鑫龙
《中国集成电路》
2016
3
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